Infineon Nチャンネル MOSFET55 V 89 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン
インフィニオン NチャンネルパワーMOSFET 55 V. インフィニオンのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は、Nチャンネルデバイスが表面実装とリード付きパッケージに収容さています。ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できる形状になっています。抵抗範囲全体のベンチマークにおいて導電損失を低下させ、最大限のシステム効率を実現します。
仕様
チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 89 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 V
パッケージタイプ = TO-220AB
実装タイプ = スルーホール
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 2V
最低ゲートしきい値電圧 = 1V
最大パワー消費 = 170 W
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -16 V, +16 V
動作温度 Max = +175 ℃
動作温度 Min = -55 ℃mm
RoHS指令(10物質対応)対応
内容量1セット(50個)
最大連続ドレイン電流 = 89 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 V
パッケージタイプ = TO-220AB
実装タイプ = スルーホール
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 2V
最低ゲートしきい値電圧 = 1V
最大パワー消費 = 170 W
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -16 V, +16 V
動作温度 Max = +175 ℃
動作温度 Min = -55 ℃mm
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カテゴリ
商品レビュー
2025-07-02
- 用途:
- LEDの調光、ファンの制御
その他業種
当然ながら非常に品質もよく安価に手に入れられて満足です。モノタロウさんありがとう~