Infineon Nチャンネル MOSFET55 V 5 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン
Infineon の MOSFET 設計は MOSFET トランジスタとも呼ばれ、「酸化膜半導体電界効果トランジスタ」を意味します。MOSFETは、コンデンサによって制御されるトランジスタデバイスです。「電界効果」とは、電圧によって制御されることを意味します。MOSFETを使用する目的は、ソース端子からドレイン端子に流れる電流の制御です。ロジックレベル エンハンスメントモードグリーン製品( RoHS 対応) AEC認定
仕様
チャンネルタイプ N
最大連続ドレイン電流 5 A
最大ドレイン-ソース間電圧 55 V
シリーズ OptiMOS(TM)
実装タイプ 表面実装
ピン数 8
最大ドレイン-ソース間抵抗 0.035 Ω
チャンネルモード エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 2V
1チップ当たりのエレメント数 2
RoHS指令(10物質対応)対応
内容量1袋(10個)
最大連続ドレイン電流 5 A
最大ドレイン-ソース間電圧 55 V
シリーズ OptiMOS(TM)
実装タイプ 表面実装
ピン数 8
最大ドレイン-ソース間抵抗 0.035 Ω
チャンネルモード エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 2V
1チップ当たりのエレメント数 2
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