Infineon Nチャンネル MOSFET55 V 20 A 表面実装 パッケージTDSON 8 ピン
Infineon の OptiMOS シリーズデュアル N チャンネル MOSFET は、ドレイン - ソース電圧が 55ワイヤボンディング及びボンドワイヤ用の大規模なソースリードフレーム接続の利点は、最大 20 A の電流で 200 um のものがあります。車載AEC-Q101認定 MSL1 Peak リフロー：最高 260 ℃ ～ 175 ℃ の動作温度 グリーンパッケージ 超低 RDS 100% アバランシェ試験済み
仕様
チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 20 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 V
パッケージタイプ = TDSON
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 8
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 0.065 Ω Ω
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 2.2V
1チップ当たりのエレメント数 = 2
最大連続ドレイン電流 = 20 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 V
パッケージタイプ = TDSON
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 8
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 0.065 Ω Ω
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 2.2V
1チップ当たりのエレメント数 = 2
RoHS指令(10物質対応)対応内容量1セット(5000個)
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