Infineon Nチャンネル MOSFET30 V 21 A 表面実装 パッケージSO-8 8 ピン
仕様
チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 21 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V
シリーズ = HEXFET
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 8
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 0.0036 Ω
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 2.35V
トランジスタ素材 = Si
最大連続ドレイン電流 = 21 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V
シリーズ = HEXFET
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 8
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 0.0036 Ω
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 2.35V
トランジスタ素材 = Si
RoHS指令(10物質対応)対応内容量1袋(20個)
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