Infineon Nチャンネル MOSFET60 V 1.2 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン
Infineon NチャンネルパワーMOSFET 60 → 80 V. Infineon のディスクリート HEXFET R パワー MOSFET 製品には、リード付き表面実装パッケージに収容された N チャンネルデバイスが含まれています。ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタも用意されています。抵抗値範囲全体のベンチマークで導電損失を低減させます。これにより最大限のシステム効率を実現します。
仕様
チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 1.2 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V
シリーズ = HEXFET
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 480 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V
最低ゲートしきい値電圧 = 1V
最大パワー消費 = 1.25 W
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -16 V， +16 V
トランジスタ素材 = Simm
動作温度 Min = -55 ℃mm
最大連続ドレイン電流 = 1.2 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V
シリーズ = HEXFET
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 480 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V
最低ゲートしきい値電圧 = 1V
最大パワー消費 = 1.25 W
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -16 V， +16 V
トランジスタ素材 = Simm
動作温度 Min = -55 ℃mm
RoHS指令(10物質対応)対応内容量1セット(3000個)
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