Infineon Pチャンネル MOSFET30 V 5.4 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン
NチャンネルパワーMOSFET 30 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様
チャンネルタイプ = P
最大連続ドレイン電流 = 5.4 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V
シリーズ = HEXFET
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 8
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 110 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 2.4V
最低ゲートしきい値電圧 = 1.3V
最大パワー消費 = 2.5 W
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
幅 = 4mm
高さ = 1.5mm
RoHS指令(10物質対応)対応
内容量1袋(25個)
最大連続ドレイン電流 = 5.4 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V
シリーズ = HEXFET
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 8
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 110 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 2.4V
最低ゲートしきい値電圧 = 1.3V
最大パワー消費 = 2.5 W
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
幅 = 4mm
高さ = 1.5mm
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