Infineon Pチャンネル MOSFET60 V 170 mA 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン
Infineon SIPMOSR PチャンネルMOSFET. Infineon SIPMOS ；sup>R ；/sup>小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。 SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。. ・ AEC Q101適合(データシートを参照してください) ・ 無鉛めっき、RoHS対応
仕様
チャンネルタイプ = P
最大連続ドレイン電流 = 170 mA
最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V
シリーズ = SIPMOSR
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 12 Ω
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 2V
最低ゲートしきい値電圧 = 1V
最大パワー消費 = 360 mW
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
1チップ当たりのエレメント数 = 1mm
動作温度 Min = -55 ℃V
RoHS指令(10物質対応)対応
内容量1袋(250個)
最大連続ドレイン電流 = 170 mA
最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V
シリーズ = SIPMOSR
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 12 Ω
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 2V
最低ゲートしきい値電圧 = 1V
最大パワー消費 = 360 mW
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
1チップ当たりのエレメント数 = 1mm
動作温度 Min = -55 ℃V
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