チップトランジスタのおすすめ人気ランキング

2025/06/03更新
892件の「チップトランジスタ」商品から売れ筋のおすすめ商品をピックアップしています。当日出荷可能商品も多数。「CT 電流」、「圧電ブザー」、「オペアンプ」などの商品も取り扱っております。
仕様 トランジスタタイプ = NPN。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大連続コレクタ電流 = 100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V。標準入力抵抗 = 2.2 kΩ。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = ESM。ピン数 = 3。最小DC電流ゲイン = 80。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。標準抵抗比 = 0.047。幅 = 0.8mm。。抵抗器内蔵トランジスタ、BRTシリーズ、東芝. 内蔵バイアス抵抗器、使用部品が少数なのでデバイスサイズの小型化と省スペースの組み立てが可能 幅広い抵抗値範囲により製品が様々な用途に適合 RN1101 / RN2101からRN1118 / RN2118までの製品を補助 用途: スイッチング、インバータ回路、インターフェイス回路、ドライバ回路 SSMパッケージ RoHS指令(10物質対応) 対応
1袋(5個)
90 税込99
翌々日出荷

仕様 トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 150 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V。パッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 150 mW。最小DC電流ゲイン = 120。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 80 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +125 ℃。。RFバイポーラトランジスタ、東芝 RoHS指令(10物質対応) 対応
1袋(10個)
80 税込88
当日出荷

トランジスタタイプ PNP トランジスタ構成 シングル 最大エミッタ-ベース間電圧(V) -5 実装タイプ 表面実装 1チップ当たりのエレメント数 1
1袋(25個)ほか
799 税込879
翌々日出荷
バリエーション一覧へ (5種類の商品があります)

仕様 トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 300 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 20 V。パッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 100 mW。最小DC電流ゲイン = 200。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 25 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。トランジスタ素材 = Si。。小信号NPNトランジスタ、東芝 RoHS指令(10物質対応) 対応
1袋(25個)
1,198 税込1,318
翌々日出荷


仕様 トランジスタタイプ = NPN。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大連続コレクタ電流 = 100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V。標準入力抵抗 = 1 kΩ。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-323FL。ピン数 = 3。最小DC電流ゲイン = 30。最大パワー消費 = 200 mW。標準抵抗比 = 10。構成 = シングル。長さ = 2.1mm。。デュアル抵抗内蔵デジタルNPNトランジスタ、ROHM RoHS指令(10物質対応) 対応
1袋(250個)
2,970 税込3,267
翌々日出荷




仕様 ●トランジスタタイプ: PNP●最大DCコレクタ電流: -100 mA●パッケージタイプ: SMT●実装タイプ: 表面実装●最小DC電流ゲイン: 30●トランジスタ構成: シングル●ピン数: 3●1チップ当たりのエレメント数: 1●ベースエミッタ抵抗器: 10kΩ●デュアル抵抗内蔵デジタルPNPトランジスタ、ROHM RoHS指令(10物質対応) 対応
1袋(5個)
229 税込252
翌々日出荷

実装タイプ 表面実装 1チップ当たりのエレメント数 1 最大エミッタ-ベース間電圧(V) 5 トランジスタ構成 シングル トランジスタタイプ NPN
1袋(25個)ほか
999 税込1,099
翌々日出荷
バリエーション一覧へ (4種類の商品があります)



仕様 トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = 150 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V。パッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 150 mW。最小DC電流ゲイン = 120。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 80 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V。。小信号PNPトランジスタ、東芝 RoHS指令(10物質対応) 対応
1袋(10個)
169 税込186
翌々日出荷



仕様 トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 800 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 V。パッケージタイプ = TO-92。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 625 mW。最小DC電流ゲイン = 170。トランジスタ構成 = シングル。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 100 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.7 V。。小信号NPNトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応) 対応
1袋(10個)
400 税込440
当日出荷

仕様 トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 600 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = SOT-223 (SC-73)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 1.15 W。最小DC電流ゲイン = 35。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 75 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。最大動作周波数 = 300 MHz。ピン数 = 4。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -65 ℃。。汎用NPNトランジスタ、Nexperia RoHS指令(10物質対応) 対応
1個
70 税込77
5日以内出荷

トランジスタタイプ = NPN。最大連続コレクタ電流 = 800 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 12 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。トランジスタ構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最小DC電流ゲイン = 10000。最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V。最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 1.5 V。最大コレクタカットオフ電流 = 100nA。幅 = 1.4mm。ダーリントンNPNトランジスタ、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応) 対応
1セット(50個)
2,298 税込2,528
5日以内出荷

仕様 トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = 2 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V。パッケージタイプ = TSM。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 1 W。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = -50 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = -7 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = -1.1 V。。汎用PNPトランジスタ、東芝 RoHS指令(10物質対応) 対応
1袋(10個)
559 税込615
翌々日出荷