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FDCのおすすめ人気ランキング
2025/08/11更新409件の「FDC」商品から売れ筋のおすすめ商品をピックアップしています。当日出荷可能商品も多数。「金属研磨 ディスクグラインダー」、「補助リレー」、「リレー 6極」などの商品も取り扱っております。
TGK品番
692-63-10-10
1個
￥9,798
税込￥10,778
6日以内出荷
19インチキャビネットラックで、JISまたはEIA規格に準拠しています。本体枠はアルミニウム合金ダイキャスト製コーナーとアルミニウム押出形材を使用した軽量な構造です。ラック内部での発熱は、天井部から自然放熱される構造になっています。外装色は、シックなホワイト系、ブラック系、おちついたブラウン系ツートンカラーの3種類から選択できます。
パッケージタイプ = TSOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 1.6 W。ピン数 = 6。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 3 x 1.7 x 1mm
RoHS指令(10物質対応)
対応
1袋(10個)
￥1,798
税込￥1,978
7日以内出荷
一般研削用のディスクです。ポータブルサンダー・グラインダーに装着して、バリ取り・サビ落としに使用します。
用途金属や石材の一般研磨・塗面のサビ落とし、バリ取り
基材
ファイバー
基材厚さ(mm)
1
19インチキャビネットラックで、JISまたはEIA規格に準拠しています。本体枠はアルミニウム合金ダイキャスト製コーナーとアルミニウム押出形材を使用した軽量な構造です。ラック内部での発熱は、天井部から自然放熱される構造になっています。外装色は、シックなホワイト系、ブラック系、おちついたブラウン系ツートンカラーの3種類から選択できます。
仕様
統合型ロードスイッチ、Fairchild Semiconductor
寸法(mm)
3×1.7×1
ピン数(ピン)
6
動作温度(℃)
(Min)-55 、(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)
10物質対応
実装タイプ
表面実装
動作供給電圧(V)
(Max)8
パワーレーティング(W)
0.7
電源スイッチの種類
内蔵負荷
動作電流(A)
最大2.5
1セット(20個)
￥2,898
税込￥3,188
5日以内出荷
仕様
PowerTrench(R)デュアルN/PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用している
ピン数(ピン)
6
動作温度(℃)
-55 (Min)
RoHS指令(10物質対応)
10物質対応
実装タイプ
表面実装
チャンネルタイプ
N， P
チャンネルモード
エンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)
1.9 、2.7
最大ドレイン-ソース間電圧(V)
20
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)
130270
最小ゲートしきい値電圧(V)
0.4
最大ゲート-ソース間電圧(V)
-8、 +8
トランジスタ構成
絶縁型
標準ゲートチャージ
2.85 nC @ 4.5 V、3.25 nC @ 4.5 V
最大パワー消費
960 mW
1箱(10個)
￥1,198
税込￥1,318
5日以内出荷
仕様
●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：0.125
高さ(mm)
1
ピン数(ピン)
6
RoHS指令(10物質対応)
10物質対応
特性
PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷
パッケージ
SOT-23
実装タイプ
表面実装
チャンネルタイプ
P
最大パワー消費(mW)
1600
材質(トランジスタ)
Si
チャンネルモード
エンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)
60
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)
105
最大ゲート-ソース間電圧(V)
-20 ， +20
トランジスタ構成
シングル
1箱(5個)
￥639
税込￥703
5日以内出荷
仕様
●最低ゲートしきい値電圧：0.4V●最大連続ドレイン電流：2.3 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：4.4 nC @ 4.5 V
高さ(mm)
1
ピン数(ピン)
6
RoHS指令(10物質対応)
10物質対応
特性
Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 最大9.9 A. PowerTrench(R) MOSFETは、最適化されたスイッチングを行いシステム効率と電力密度を向上させます。これらの製品は、低ゲート電荷(Qg)、低逆回復電荷(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードをを組み合わせることにより、AC/DC電源における同期整流用の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、電荷バランスを提供する遮蔽ゲート構造を
パッケージ
SOT-23
実装タイプ
表面実装
チャンネルタイプ
P
最大パワー消費(mW)
960
チャンネルモード
エンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)
20
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)
115
最大ゲート-ソース間電圧(V)
-8 ， +8
トランジスタ構成
絶縁型
1箱(5個)
￥489
税込￥538
5日以内出荷
仕様
Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 最大9.9 A. PowerTrench(R) MOSFETは、最適化されたスイッチングを行いシステム効率と電力密度を向上させます。これらの製品は、低ゲート電荷(Qg)、低逆回復電荷(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードをを組み合わせることにより、AC/DC電源における同期整流用の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、電荷バランスを提供する遮蔽ゲート構造を
シリーズ
PowerTrench
ピン数(ピン)
6
RoHS指令(10物質対応)
10物質対応
実装タイプ
表面実装
1チップ当たりのエレメント数
2
チャンネルタイプ
P
チャンネルモード
エンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)
1.9
最大ドレイン-ソース間電圧(V)
20
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)
270
最小ゲートしきい値電圧(V)
0.4
最大ゲート-ソース間電圧(V)
-8、+8
トランジスタ構成
絶縁型
最大パワー消費
960 mW
1箱(10個)
￥919
税込￥1,011
5日以内出荷
鉛の使用をなくし、環境保全に対応。
VDE規格(ドイツ)、IMQ規格(イタリア)を追加取得。
AC/DCのコイルテープの色を変えることにより、AC/DC仕様の識別性を向上。
鉛の使用をなくし、環境保全に対応。VDE規格(ドイツ)、IMQ規格(イタリア)を追加取得。AC/DCのコイルテープの色を変えることにより、AC/DC仕様の識別性を向上。