仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 20 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 600 V●シリーズ ： FDmesh●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 290 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 192 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●標準ゲートチャージ @ Vgs ： 37 nC @ 10 Vmm●高さ ： 9.15mm●NチャンネルFDmesh(TM)パワーMOSFET、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
