仕様●サイズ：12インチシリコンウェハ●熱酸化膜膜厚み：200nm±10%●直径(mm)：300.0±0.2●ウェハー厚(μm)：775±25●製造方法：CZ法●導電型：P型●面方位：100●Notch方位：110●抵抗値(Ω・cm)：1〜100●V Notch●面状態：ミラー/ミラー●パーティクル：≧0.2μm，≦50個(成膜前)●TTV(μm)：≦10●数量：25枚(1箱)●※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。●※膜ムラや膜厚みの狙いの商品につきましては、不問とさせて頂きます。
アズワン品番67-6444-98
