仕様●サイズ：8インチシリコンウェハ●TEOS(シリコンナイトライド)【PE-CVD】膜厚み：400nm狙い(データ付き)●直径(mm)：200.0±0.2●ウェハー厚(μm)：725±25●製造方法：CZ法●導電型：P型●面方位：100●抵抗値(Ω・cm)：1〜100●Vノッチ●面状態：ミラー/エッチド●パーティクル：ダストフリー●TTV(μm)：≦20●数量：25枚(1箱)●※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。●※膜ムラや膜厚みの狙いの商品につきましては、不問とさせて頂きます。
アズワン品番67-6448-18
