仕様
インダクタンス = 2.7 nH
許容差 = ±0.2nH
最大直流電流 = 800mA
最大自己共振周波数 = 7.3GHz
パッケージ/ケース = 0402 (1005M)
最大直流抵抗 = 150mΩ
寸法 = 1 x 0.5 x 0.5mm
奥行き = 0.5mm
高さ = 0.5mm
長さ = 1mm
最大動作温度 = +125℃
インダクタ構造 = 多層
チップインダクタ、MLG1005Sシリーズ. 高周波数(多層)チップインダクタ セラミックと伝導体を組み合わせたモノリシック構造 携帯電話、携帯ネットワーキングデバイス、その他高周波数回路で使用
RoHS指令(10物質対応)対応