- 仕様
- ●出力デバイス:MOSFET●最大順方向電圧:1.5V●ピン数:4●パッケージタイプ:DIP●入力電流タイプ:DC●絶縁電圧:5kVrms●フォトモスリレーGE(絶縁強化)、DIPタイプ.低コストタイプで良好な値を実現絶縁性が高いため、5000Vの電圧に耐えられる入力/出力●入力側LED電流:50mA●入力側LED逆電圧:5V●入力側せん頭順電流:1A(f:100Hz、デューティ比=0.1%)●出力側出力損失:500mW●出力側ピーク負荷電流:0.4A(100ms(1shot)、VL=DC)●入出力端子間容量:0.8pF(平均)、1.5pF(最大)●入力動作LED電流:1.2mA(平均)、3mA(最大)●入力復帰LED電流:0.4mA(最小)、1.1mA(平均)
- 寸法(mm)
- 4.78×6.4×3.2
- 接点構成
- SPNO
- 耐電圧
- 5000Vrms(高耐電圧)
- 保存温度(℃)
- -40~100
- 絶縁抵抗(MΩ)
- 1000(入出力間500V DC)
- 定格負荷電圧(V)
- 350
- 動作時間(ms)
- 0.5(平均)、2(最大)
- 復帰時間(ms)
- 0.08(平均)、1(最大)
- 出力オン抵抗(Ω)
- 18(平均)、25(最大)
- 負荷電流(A)
- 0.13
- 漏れ電流(nA)
- 1000(出力、開路時、最大)
- 許容損失(mW)
- 75(入力側)、550(全)
- ターミナルタイプ
- スルーホール
- 出力装置
- -
- 接合部温度(℃)
- 125