仕様【カテゴリー】パワーMOSFET、NチャンネルパワーMOSFET、40V、ONSemiconductor
ピン数(ピン)5
RoHS指令(10物質対応)対応
パッケージDFN
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)28
標準ターンオフ遅延時間(ns)11
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)37
最大ドレイン-ソース間電圧(V)40
最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)0.0176
最大ゲートしきい値電圧(V)2
最小ゲートしきい値電圧(V)1.2
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20・20