- 仕様
- 【カテゴリー】パワーMOSFET、強化モードNチャンネルMOSFET、FairchildSemiconductor.強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
- ピン数(ピン)
- 3
- RoHS指令(10物質対応)
- 対応
- パッケージ
- DPAK(TO-252)
- 実装タイプ
- 表面実装
- 1チップ当たりのエレメント数
- 1
- チャンネルタイプ
- N
- 最大パワー消費(W)
- 48
- チャンネルモード
- エンハンスメント型
- 最大連続ドレイン電流(A)
- 14
- 最大ドレイン-ソース間電圧(V)
- 50
- 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)
- 100
- 最小ゲートしきい値電圧(V)
- 2
- 最大ゲート-ソース間電圧(V)
- -20・20