仕様PチャンネルパワーMOSFET、30〜500V、ONSemiconductor
ピン数(ピン)8
RoHS指令(10物質対応)対応
パッケージWDFN
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプP
最大パワー消費(W)18
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)1.7
最大ドレイン-ソース間電圧(V)60
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)380
最大ゲートしきい値電圧(V)2.5
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、20
標準入力キャパシタンス(pF)250/25V
カテゴリーパワーMOSFET