仕様IGBTディスクリート、ONSemiconductor.モータ駆動とスイッチング用途向けの絶縁型ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)長さ(mm)10.29幅(mm)9.65寸法(mm)10.29×9.65×4.83高さ(mm)4.83ピン数(ピン)3動作温度(℃)175RoHS指令(10物質対応)対応パッケージD2PAK(TO-263)実装タイプ表面実装最大連続コレクタ電流(A)50最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)365最大ゲート-エミッタ間電圧(V)±15チャンネルタイプN最大パワー消費(W)165トランジスタ構成シングル