チャンネルタイプN最大連続ドレイン電流(A)214最大ドレイン-ソース間電圧(V)80最大ゲートしきい値電圧(V)4最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20パッケージTO-220実装タイプスルーホールチャンネルモードエンハンスメント型カテゴリーパワーMOSFET最大パワー消費(W)2551チップ当たりのエレメント数1仕様MOSFET N-Channel, TK100 Series, Toshibaトランジスタ構成シングル最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)3.2RoHS指令(10物質対応)対応