仕様NチャンネルMOSFET、200 → 250 V、Vishay Semiconductorピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応パッケージI2PAK (TO-262)実装タイプスルーホールチャンネルタイプN最大パワー消費(W)130チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)18最大ドレイン-ソース間電圧(V)200最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)180最小ゲートしきい値電圧(V)2最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20標準ゲートチャージ70nC@10VカテゴリーパワーMOSFET