仕様NチャンネルMOSFET、Eシリーズ、低性能指数、Vishay Semiconductor. VishayのEシリーズパワーMOSFETは、最大オン抵抗が極めて低く、低性能指数と高速スイッチングが特長の高電圧トランジスタです。 幅広い定格電流の製品が用意されています。 主な用途には、サーバー及び通信電源、LED照明、フライバックコンバータ、力率補正(PFC)、スイッチモード電源(SMPS)などがあります。. 特長. 低性能指数(FOM): RDS(on) x Qg 低入力静電容量(Ciss) 低オン抵抗(RDS(on)) 超低ゲート電荷(Qg) 高速スイッチング スイッチング損失及び導電損失を低減ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応パッケージD2PAK (TO-263)実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1チャンネルタイプN最大パワー消費(W)250チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)29最大ドレイン-ソース間電圧(V)600最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)125最小ゲートしきい値電圧(V)2最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20カテゴリーパワーMOSFET