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SIHB30N60E-GE3 Vishay Nチャンネル パワーMOSFET VISHAY 48814396

Vishay Nチャンネル パワーMOSFET

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内容量1個
最大ドレイン-ソース間電圧(V)600
実装タイプ表面実装
最大連続ドレイン電流(A)29
29
100
11
12
12.7
14
15
2.4
20
23
4.8
45
5
5.4
5.9
64
65
7.7
70
8
9.9
内容量1個注文コード48814396品番SIHB30N60E-GE3
参考基準価格(税別)オープン販売価格(税込)¥989
販売価格(税別)
899
仕様NチャンネルMOSFET、Eシリーズ、低性能指数、Vishay Semiconductor. VishayのEシリーズパワーMOSFETは、最大オン抵抗が極めて低く、低性能指数と高速スイッチングが特長の高電圧トランジスタです。 幅広い定格電流の製品が用意されています。 主な用途には、サーバー及び通信電源、LED照明、フライバックコンバータ、力率補正(PFC)、スイッチモード電源(SMPS)などがあります。. 特長. 低性能指数(FOM): RDS(on) x Qg 低入力静電容量(Ciss) 低オン抵抗(RDS(on)) 超低ゲート電荷(Qg) 高速スイッチング スイッチング損失及び導電損失を低減ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応パッケージD2PAK (TO-263)実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1チャンネルタイプN最大パワー消費(W)250チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)29最大ドレイン-ソース間電圧(V)600最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)125最小ゲートしきい値電圧(V)2最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20カテゴリーパワーMOSFET
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よくあるご質問(FAQ)

ご質問件数: 1
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質問:
製品の安全データシート(SDS)や有害物質使用制限に関するデータ(RoHS)等の書面が必要ですがどうすれば良いですか。
回答:
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お問合せ種類 *必須の中から必要な書類をお選びご依頼ください。

https://help.monotaro.com/app/ask

書類名)
1:SDS(MSDS)
2:RoHS(2)
3:非該当証明書
4:ChemSHERPA
5:その他(ミルシート・出荷証明書)
2022-03-31

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