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SI4164DY-T1-GE3 Vishay Nチャンネル パワーMOSFET VISHAY 48814579

Vishay Nチャンネル パワーMOSFET

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取扱い終了
内容量1袋(10個)
最大ドレイン-ソース間電圧(V)30
実装タイプ表面実装
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内容量1袋(10個)注文コード48814579品番SI4164DY-T1-GE3
大変申し訳ございませんが、この商品は取り扱いを終了いたしました。
参考基準価格(税別)オープン
仕様NチャンネルMOSFET、30 → 50 V、Vishay Semiconductorピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応パッケージSOIC実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1チャンネルタイプN最大パワー消費(W)6チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)30最大ドレイン-ソース間電圧(V)30最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)3.9最小ゲートしきい値電圧(V)1.2最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20カテゴリーパワーMOSFET
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よくあるご質問(FAQ)

ご質問件数: 1
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質問:
製品の安全データシート(SDS)や有害物質使用制限に関するデータ(RoHS)等の書面が必要ですがどうすれば良いですか。
回答:
お手数ですが下記URLのお問合せフォームよりご依頼ください。
お問合せ種類 *必須の中から必要な書類をお選びご依頼ください。

https://help.monotaro.com/app/ask

書類名)
1:SDS(MSDS)
2:RoHS(2)
3:非該当証明書
4:ChemSHERPA
5:その他(ミルシート・出荷証明書)
2022-03-31

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