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SIA906EDJ-T1-GE3 Vishay Nチャンネル パワーMOSFET VISHAY 48814746

Vishay Nチャンネル パワーMOSFET

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取扱い終了代引不可
内容量1リール(3000個)
最大ドレイン-ソース間電圧(V)20
実装タイプ表面実装
最大連続ドレイン電流(A)4.5
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内容量1リール(3000個)注文コード48814746品番SIA906EDJ-T1-GE3
大変申し訳ございませんが、この商品は取り扱いを終了いたしました。
参考基準価格(税別)オープン
仕様NチャンネルMOSFET、8 → 25 V、Vishay Semiconductor寸法(mm)2.15×2.15×0.8パッケージSOT-363 (SC-70)実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)7.8チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)4.5最大ドレイン-ソース間電圧(V)20最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)63最小ゲートしきい値電圧(V)0.6最大ゲート-ソース間電圧(V)-12、+12トランジスタ構成シングルカテゴリーパワーMOSFET
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よくあるご質問(FAQ)

ご質問件数: 1
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質問:
製品の安全データシート(SDS)や有害物質使用制限に関するデータ(RoHS)等の書面が必要ですがどうすれば良いですか。
回答:
お手数ですが下記URLのお問合せフォームよりご依頼ください。
お問合せ種類 *必須の中から必要な書類をお選びご依頼ください。

https://help.monotaro.com/app/ask

書類名)
1:SDS(MSDS)
2:RoHS(2)
3:非該当証明書
4:ChemSHERPA
5:その他(ミルシート・出荷証明書)
2022-03-31

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