仕様NチャンネルMOSFET、200 → 250 V、Vishay Semiconductorピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応パッケージD2PAK (TO-263)実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数1チャンネルタイプN最大パワー消費(W)50チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)5.2最大ドレイン-ソース間電圧(V)200最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)800最小ゲートしきい値電圧(V)2最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20カテゴリーパワーMOSFET