仕様PチャンネルMOSFET、8 → 20 V、Vishay Semiconductor
動作温度(℃)(Min)-50
RoHS指令(10物質対応)対応
パッケージSOT-23 (TO-236)
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプP
最大パワー消費(W)1.7
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)4.7
最大ドレイン-ソース間電圧(V)20
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)67.5
最小ゲートしきい値電圧(V)0.4
最大ゲート-ソース間電圧(V)-8、+8
トランジスタ構成シングル
カテゴリーパワーMOSFET