ピン数(ピン)8
パッケージSO-8
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)34(Nチャンネル)、34(Pチャンネル)
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)30(Nチャンネル)、30(Pチャンネル)
最大ドレイン-ソース間電圧(V)40(Nチャンネル)、40(Pチャンネル)
最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)0.03
最大ゲートしきい値電圧(V)2.5
最小ゲートしきい値電圧(V)1.5
最大ゲート-ソース間電圧(V)±20
標準ゲートチャージ18nC@10V(Nチャンネル),56nC@10V(Pチャンネル)
カテゴリーパワーMOSFET