SIA921EDJ-T1-GE3 Vishay デュアル Pチャンネル パワーMOSFET VISHAY 表面実装 48840698

Vishay デュアル Pチャンネル パワーMOSFET

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内容量1袋(20個) 注文コード48840698 品番SIA921EDJ-T1-GE3
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仕様デュアルPチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor ピン数(ピン)6 パッケージSOT-363 (SC-70) 実装タイプ表面実装 1チップ当たりのエレメント数2 チャンネルタイプP 最大パワー消費(W)7.8 チャンネルモードエンハンスメント型 最大連続ドレイン電流(A)4.5 最大ドレイン-ソース間電圧(V)20 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)98 最小ゲートしきい値電圧(V)0.5 最大ゲート-ソース間電圧(V)-12、+12 カテゴリーパワーMOSFET

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よくあるご質問(FAQ)

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書類名)
1:SDS(MSDS)
2:RoHS(2)
3:非該当証明書
4:ChemSHERPA
5:その他(ミルシート・出荷証明書)
2022-03-31

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