製品の安全データシート（SDS）や有害物質使用制限に関するデータ（RoHS）等の書面が必要ですがどうすれば良いですか。

お手数ですが下記URLのお問合せフォームよりご依頼ください。お問合せ種類 *必須の中から必要な書類をお選びご依頼ください。 https://help.monotaro.com/app/ask 書類名） 1：SDS(MSDS) 2：RoHS(2) 3：非該当証明書 4：ChemSHERPA 5：その他（ミルシート・出荷証明書）

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INFINEON

Infineon NチャンネルパワーMOSFET

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内容量1セット(50個)仕様チャンネルタイプ：N 、最大連続ドレイン電流：171 A 、最大ドレイン-ソース間電圧：30 V 、最大ドレイン-ソース間抵抗：3.2 mΩ 、最大ゲートしきい値電圧：2.2V 、最低ゲートしきい値電圧：1.2V 、最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 V 、パッケージタイプ：TO-220AB 、実装タイプ：スルーホール、ピン数：3 、チャンネルモード：エンハンスメント型、カテゴリー：パワーMOSFET 、最大パワー消費：125 W 、動作温度 Max：+175 ℃ 、 NチャンネルパワーMOSFET 30 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。注文コード49248448品番IRLB8314PBF

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仕様チャンネルタイプ：N 、最大連続ドレイン電流：171 A 、最大ドレイン-ソース間電圧：30 V 、最大ドレイン-ソース間抵抗：3.2 mΩ 、最大ゲートしきい値電圧：2.2V 、最低ゲートしきい値電圧：1.2V 、最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 V 、パッケージタイプ：TO-220AB 、実装タイプ：スルーホール、ピン数：3 、チャンネルモード：エンハンスメント型、カテゴリー：パワーMOSFET 、最大パワー消費：125 W 、動作温度 Max：+175 ℃ 、 NチャンネルパワーMOSFET 30 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。RoHS指令(10物質対応)対応

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質問：: 製品の安全データシート（SDS）や有害物質使用制限に関するデータ（RoHS）等の書面が必要ですがどうすれば良いですか。

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2：RoHS(2)
3：非該当証明書
4：ChemSHERPA
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2022-03-31