商品レビューを投稿する内容量1袋(10個)仕様チャンネルタイプ：N 、 最大連続ドレイン電流：5.2 A 、 最大ドレイン-ソース間電圧：55 V 、 最大ドレイン-ソース間抵抗：33 mΩ 、 最大ゲートしきい値電圧：2V 、 最低ゲートしきい値電圧：1.2V 、 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 V 、 パッケージタイプ：SOT-223 、 実装タイプ：表面実装 、 トランジスタ構成：シングル 、 チャンネルモード：エンハンスメント型 、 カテゴリー：パワーMOSFET 、 最大パワー消費：1.8 W 、 寸法：6.5 x 3.5 x 1.6mm 、 Infineon OptiMOS(TM) パワーMOSFETファミリ. OptiMOS(TM) 製品は、最も困難な用途にも対応できるよう高性能なパッケージに収納されています。このため、限られたスペースで最大限に柔軟性を発揮できます。 これらのInfineon製品は、コンピューティング用途における次世代の厳しい電圧調整規格のエネルギー効率と電力密度の要件に適合し、上回るように設計されています。. Nチャンネル - 強化モード 車載AEC Q101認定 MSL1最大260 ℃のピークリフロー 175 ℃の動作温度 環境配慮製品(鉛フリー) 超低Rds(on)注文コード49253436品番BSP603S2LHUMA1
参考基準価格(税別)オープン販売価格(税込)￥3,298販売価格(税別)
仕様チャンネルタイプ：N 、 最大連続ドレイン電流：5.2 A 、 最大ドレイン-ソース間電圧：55 V 、 最大ドレイン-ソース間抵抗：33 mΩ 、 最大ゲートしきい値電圧：2V 、 最低ゲートしきい値電圧：1.2V 、 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 V 、 パッケージタイプ：SOT-223 、 実装タイプ：表面実装 、 トランジスタ構成：シングル 、 チャンネルモード：エンハンスメント型 、 カテゴリー：パワーMOSFET 、 最大パワー消費：1.8 W 、 寸法：6.5 x 3.5 x 1.6mm 、 Infineon OptiMOS(TM) パワーMOSFETファミリ. OptiMOS(TM) 製品は、最も困難な用途にも対応できるよう高性能なパッケージに収納されています。このため、限られたスペースで最大限に柔軟性を発揮できます。 これらのInfineon製品は、コンピューティング用途における次世代の厳しい電圧調整規格のエネルギー効率と電力密度の要件に適合し、上回るように設計されています。. Nチャンネル - 強化モード 車載AEC Q101認定 MSL1最大260 ℃のピークリフロー 175 ℃の動作温度 環境配慮製品(鉛フリー) 超低Rds(on)RoHS指令(10物質対応)対応
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