内容量1リール(3000個)
仕様チャンネルタイプ:P●最大連続ドレイン電流:4.3 A●最大ドレイン-ソース間電圧:20 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:95 mΩ●最大ゲートしきい値電圧:1.1V●最低ゲートしきい値電圧:0.4V●最大ゲート-ソース間電圧:-12 V, +12 V●パッケージタイプ:SOT-23●実装タイプ:表面実装●ピン数:3●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:パワーMOSFET●最大パワー消費:1.3 W●標準ターンオフ遅延時間:34 ns●PチャンネルパワーMOSFET 12 → 20 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
注文コード49260813
品番IRLML2244TRPBF