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IRLML2244TRPBF Infineon Pチャンネル パワーMOSFET INFINEON 49260813

Infineon Pチャンネル パワーMOSFET

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内容量1リール(3000個)仕様チャンネルタイプ:P●最大連続ドレイン電流:4.3 A●最大ドレイン-ソース間電圧:20 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:95 mΩ●最大ゲートしきい値電圧:1.1V●最低ゲートしきい値電圧:0.4V●最大ゲート-ソース間電圧:-12 V, +12 V●パッケージタイプ:SOT-23●実装タイプ:表面実装●ピン数:3●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:パワーMOSFET●最大パワー消費:1.3 W●標準ターンオフ遅延時間:34 ns●PチャンネルパワーMOSFET 12 → 20 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。注文コード49260813品番IRLML2244TRPBF
参考基準価格(税別)オープン販売価格(税込)¥41,778
販売価格(税別)
37,980
仕様チャンネルタイプ:P●最大連続ドレイン電流:4.3 A●最大ドレイン-ソース間電圧:20 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:95 mΩ●最大ゲートしきい値電圧:1.1V●最低ゲートしきい値電圧:0.4V●最大ゲート-ソース間電圧:-12 V, +12 V●パッケージタイプ:SOT-23●実装タイプ:表面実装●ピン数:3●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:パワーMOSFET●最大パワー消費:1.3 W●標準ターンオフ遅延時間:34 ns●PチャンネルパワーMOSFET 12 → 20 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。RoHS指令(10物質対応)対応
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よくあるご質問(FAQ)

ご質問件数: 1
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質問:
製品の安全データシート(SDS)や有害物質使用制限に関するデータ(RoHS)等の書面が必要ですがどうすれば良いですか。
回答:
お手数ですが下記URLのお問合せフォームよりご依頼ください。
お問合せ種類 *必須の中から必要な書類をお選びご依頼ください。

https://help.monotaro.com/app/ask

書類名)
1:SDS(MSDS)
2:RoHS(2)
3:非該当証明書
4:ChemSHERPA
5:その他(ミルシート・出荷証明書)
2022-03-31

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