仕様チャンネルタイプ:N, P 、 最大連続ドレイン電流:200 mA, 350 mA 、 最大ドレイン-ソース間電圧:30 V 、 最大ドレイン-ソース間抵抗:1.4 Ω、4.1 Ω 、 最大ゲートしきい値電圧:1.1V 、 最低ゲートしきい値電圧:0.6V 、 最大ゲート-ソース間電圧:-8 V, +8 V 、 パッケージタイプ:SOT-363 (SC-88) 、 実装タイプ:表面実装 、 ピン数:6 、 チャンネルモード:エンハンスメント型 、 カテゴリー:トレンチMOSFET 、 最大パワー消費:990 mW 、 動作温度 Min:-55 ℃ 、 デュアルN / PチャンネルMOSFET、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応