仕様サイズ：2インチシリコンウェハ 直径(mm)：50.0±0.2 ウェハー厚(μm)：280±25 製造方法：CZ法 導電型：N型 面方位：111 OF方位：110 抵抗値(Ω・cm)：1～100 OF長(mm)：17.5±2.5 面状態：ミラー/エッチド パーティクル：≧0.3μm，≦20個 TTV(μm)：≦25 数量：25枚(1箱) ※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません 1stオリフラ有り、2ndオリフラ無しアズワン品番65-3735-93
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