仕様サイズ：8インチシリコンウェハ 直径(mm)：200.0±0.2 ウェハー厚(μm)：725±25 製造方法：CZ法 導電型：P型 面方位：100 Notch方位：110 抵抗値(Ω・cm)：1〜100 V Notch 面状態：ミラー/エッチド パーティクル：≧0.2μm，≦30個 TTV(μm)：≦25 数量：1枚※特+P681：P732注対応品： 方位(切断角度)、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります 多様な形状加工と表面処理が可能です(例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー) ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です ※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません
アズワン品番65-3738-33
