仕様サイズ：8インチシリコンウェハ 直径(mm)：200.0±0.2 ウェハー厚(μm)：725±25 製造方法：CZ法 導電型：P型 面方位：100 Notch方位：110 抵抗値(Ω・cm)：1～100 V Notch 面状態：ミラー/エッチド パーティクル：≧0.2μm，≦30個 TTV(μm)：≦25 数量：1枚※特+P681：P732注対応品： 方位(切断角度)、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります 多様な形状加工と表面処理が可能です(例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー) ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です ※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありませんアズワン品番65-3738-33
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