チャンネルタイプ N
最大連続ドレイン電流 120 A
最大ドレイン-ソース間電圧 100 V
パッケージタイプ D2PAK (TO-263)
実装タイプ 表面実装
ピン数 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 10.5 mΩ
チャンネルモード エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 4V
最低ゲートしきい値電圧 2V
最大パワー消費 312 W
トランジスタ構成 シングル
最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V
長さ 10.4mm
動作温度 Min -55 ℃mm
NチャンネルSTripFET II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
