チャンネルタイプ = N， P
最大連続ドレイン電流 = 7.2 A、8 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V
パッケージタイプ = SOIC
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 8
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 20 mΩ， 28 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V
最大パワー消費 = 3.1 W、3.2 W
トランジスタ構成 = 絶縁型
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V、-16 V、+16 V、+20 V
長さ = 5mm
高さ = 1.55mm
デュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor
