仕様●サイズ：2インチシリコンウェハ●直径(mm)：50.0±0.2●ウェハー厚(μm)：280±25●製造方法：FZ法●導電型：ドンドープ●面方位：100●OF方位：110●抵抗値(Ω・cm)：≧10000●OF：有●面状態：ミラー/エッチド●パーティクル：ダストフリー正確な溝形成が可能となります。●▼多様な形状加工と表面処理が可能です(例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー)。●▼ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。●※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。●1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し
アズワン品番67-3005-32
