仕様●サイズ：8インチシリコンウェハ●直径(mm)：200.0±0.2●ウェハー厚(μm)：725±25●製造方法：CZ法●導電型：P型●面方位：100●Notch方位：110●抵抗値(Ω・cm)：1～100●V Notch●面状態：ミラー/エッチド●パーティクル：ダストフリー●TTV(μm)：≦25●数量：1枚※特+P681：P732注対応品：●▼方位(切断角度)、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。●▼多様な形状加工と表面処理が可能です(例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー)。●▼ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。●※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
アズワン品番67-3007-59
