仕様●サイズ:12インチシリコンウェハ●直径(mm):300.0±0.2●ウェハー厚(μm):775±25●製造方法:CZ法●導電型:P型●面方位:100●Notch方位:110●抵抗値(Ω・cm):≦0.02●V Notch●面状態:ミラー/ミラー●パーティクル:≧0.2μm,≦50個●TTV(μm):≦10●数量:25枚●※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。アズワン品番67-3007-84
注意
●※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。