2インチINPウェハ 研究用[S-C-N/S 100 ]片面ポリッシュ

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内容量 1箱(10枚) 注文コード 84411935 品番 -
参考基準価格(税別)¥445,000 販売価格(税込) ¥488,400
販売価格(税別)
444,000

研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。

仕様●グレード:Prime●材料:InP●コンディションタイプ/ドーパント:S-C-N/S●直径:50.05±0.2mm●方向:(100)±0.5°●フラットオペーション:EJ●1次オリフラ:(0-1-1)●ファーストOF長さ:16±2mm●2次オリフラ:(0-11)●セカンドOF長さ:7±1mm●キャリア濃度:2E18〜8E18cm-3●抵抗率:0.6-3〜2.5E-3ohm・cm●可動性:1000〜2000cm2/V・sec●EPD:Ave<:5000cm-2●レーザーマーク:Back side major flat●エッジラウンディング:0.25mmR(Conform to SEMI Standards)●厚み:325〜375μm●TTV:Max:10μm●TIR:Max:10μm●BOW:Max:10μm●Warp:Max:15μm●面状態:Side1:PolishedSide2:Etched●パッケージ:individual container filled with N2●Epi-ready:Yes●数量:10枚(1箱)●※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。 アズワン品番67-3011-42
注意
●※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。

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