仕様●Size：2inch●Undoped●直径：50.8 mm±0.3 mm●厚み/Thickness STD：4.5± 0.5 μm/＜3%●GaN方位：C plane(0001)off angle toward A-axis 0.2± 0.1°●GaN オリフラ：(1-100)0± 0.2°， 16± 1 mm●伝導タイプ：N-Type●抵抗率(300K)：＜0.5 Ω・cm●キャリア濃度：≦ 2×1017 cm -3●可動性：＞ 300cm2/V・s●構造：〜4.5μm uGaN /〜25 nm uGaN buffer/430±25 μm sapphire●サファイア方位：C plane(0001)off angle toward M-axis 0.2± 0.1°●サファイア オリフラ：(11-20)0± 0.2°， 16± 1 mm●サファイア ポリッシュ：Single side polished(SSP)/Double side polished(DSP)●使用可能面積：＞ 90%(edge and macro defects exclusion)●数量：1箱(10枚入)※1枚につき1ケース●※本製品は半導体
アズワン品番67-3018-89
