「to-3p」の検索結果

2SC2837などTO-3P型パッケージのパワートランジスタ用放熱・絶縁キットです。 2SC5200は一回り大型のTO-3PL型です。

電気絶縁性など優れた電気特性を持っています。 ガラスクロスあポリアミドフィルムによる補強タイプがあります。 シートだけではなく、キャップ状やチューブ状の製品があり、トランジスタなどの沿面距離の縮小に役立ちます。 ほとんどの製品がUL規格認定品で、優れた難燃性を示します。

電気絶縁性など優れた電気特性を持っています。 ガラスクロスあポリアミドフィルムによる補強タイプがあります。 シートだけではなく、キャップ状やチューブ状の製品があり、トランジスタなどの沿面距離の縮小に役立ちます。 ほとんどの製品がUL規格認定品で、優れた難燃性を示します。

ベースポリマーとしてシリコーンが用いられているため、高い信頼性が得られます。 取り扱いが容易なため、位置合わせが簡単にできます。 優れた放熱性能に加え、絶縁性も向上しました。 難燃性に優れています。

ベースポリマーとしてシリコーンが用いられているため、高い信頼性が得られます。 取り扱いが容易なため、位置合わせが簡単にできます。 優れた放熱性能に加え、絶縁性も向上しました。 難燃性に優れています。

ベースポリマーとしてシリコーンが用いられているため、高い信頼性が得られます。 取り扱いが容易なため、位置合わせが簡単にできます。 優れた放熱性能に加え、絶縁性も向上しました。 難燃性に優れています。

電気絶縁性など優れた電気特性を持っています。 ガラスクロスあポリアミドフィルムによる補強タイプがあります。 シートだけではなく、キャップ状やチューブ状の製品があり、トランジスタなどの沿面距離の縮小に役立ちます。 ほとんどの製品がUL規格認定品で、優れた難燃性を示します。

電気絶縁性など優れた電気特性を持っています。 ガラスクロスあポリアミドフィルムによる補強タイプがあります。 シートだけではなく、キャップ状やチューブ状の製品があり、トランジスタなどの沿面距離の縮小に役立ちます。 ほとんどの製品がUL規格認定品で、優れた難燃性を示します。

ベースポリマーとしてシリコーンが用いられているため、高い信頼性が得られます。 取り扱いが容易なため、位置合わせが簡単にできます。 優れた放熱性能に加え、絶縁性も向上しました。 難燃性に優れています。

電気絶縁性など優れた電気特性を持っています。 ガラスクロスあポリアミドフィルムによる補強タイプがあります。 シートだけではなく、キャップ状やチューブ状の製品があり、トランジスタなどの沿面距離の縮小に役立ちます。 ほとんどの製品がUL規格認定品で、優れた難燃性を示します。

電気絶縁性など優れた電気特性を持っています。 ガラスクロスあポリアミドフィルムによる補強タイプがあります。 シートだけではなく、キャップ状やチューブ状の製品があり、トランジスタなどの沿面距離の縮小に役立ちます。 ほとんどの製品がUL規格認定品で、優れた難燃性を示します。

パワートランジスタ用ソケット ICテスト用ソケット TO-3P/TO-247/TO-264のパッケージに対応 低インダクタンス

パワートランジスタ用ソケット ICテスト用ソケット TO-3P/TO-247/TO-264/TO-66/TO254/TO-257/TO-262のパッケージに対応

パワートランジスタ用ソケット ICテスト用ソケット TO-220/TO-3P/TO-66/TO-247/TO-254/TO-257/TO-262/TO-264等のパッケージに対応 ケルビン測定も可能です。 基板実装用

片側がBIXに挿し込むタイプで、片側がRJ45のパッチコード 2対 3.0m RJ45側の結線(5，4，3，6)

片側がBIXに挿し込むタイプで、片側がRJ45のパッチコード 2対 3.0m RJ45側の結線(1，2，3，6)

トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 15 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 250 Vパッケージタイプ = TO-3P実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 150 Wトランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 250 V dc最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 15.8 x 5 x 20.1mm先頭にNSVの付いたメーカー品番は、AEC-Q101規格に準拠した車載製品です。. ON Semiconductor NPN パワートランジスタ

パッケージタイプ = TO-3P実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 312 Wピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 16.2 x 5 x 18.9mmUniFETTM MOSFET は、プレーナストライプと DMOS テクノロジーをベースにした高電圧 MOSFET ファミリです。この MOSFET は、オン状態の抵抗を低減し、スイッチング性能及びアバランシェエネルギー強度を高めるように調整されています。このデバイスファミリは、力率補正( PFC )、フラットパネルディスプレイ( FPD ) TV 電源、 ATX 、電子ランプバラストなどのスイッチング電源コンバータ用途に適しています。RDS ( ON ) = 70 m Ω (標準) @ VGS = 10 V 、 ID = 19 A 低ゲート電荷量(標準) 60 nC ) 低 CRSs (標準) 60PF ) ESD改善機能 用途 この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。

パッケージタイプ = TO-3P実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 Wピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 16.2 x 5 x 18.9mmUniFETTM MOSFET は、プレーナストライプと DMOS テクノロジーをベースにした高電圧 MOSFET ファミリです。この MOSFET は、オン状態の抵抗を低減し、スイッチング性能及びアバランシェエネルギー強度を高めるように調整されています。このデバイスファミリは、力率補正( PFC )、フラットパネルディスプレイ( FPD ) TV 電源、 ATX 、電子ランプバラストなどのスイッチング電源コンバータ用途に適しています。RDS ( ON ) = 56 m Ω (最大) @ VGS = 10 V 、 ID = 29.5 A 低ゲート電荷量(標準) 77 nC ) 低 CRSs (標準) 80 pF ) 用途 この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。

Infineon SIPMOSR PチャンネルMOSFET. Infineon SIPMOS ；sup>；R ；/sup>；小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。 SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。. ・ AEC Q101適合(データシートを参照してください) ・ 無鉛めっき、RoHS対応

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 4 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.2 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 43 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4.7mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor

Infineon PチャンネルパワーMOSFET 40 → 55 V. InfinionのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は表面実装およびリード線付きパッケージのP-channelデバイス、そしてほとんどの基板レイアウトと熱設計に対応できるフォームファクタを含みます。抵抗値範囲全体のベンチマークで導電損失を低減させます。これにより最大限のシステム効率を実現します。

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 19 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vシリーズ = QFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 70 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 120 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V， +25 V幅 = 4.7mm動作温度 Min = -55 ℃mmFairchild Semiconductor QFETR PチャンネルMOSFET. Fairchild Semiconductorの最新のQFETRプレーナ型MOSFETは、先進の独自技術を使用し、電源、PFC(力率補正)、DC-DCコンバータ、PDP(プラズマディスプレイパネル)、照明用バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途で、最高クラスの動作性能を実現します。 オン抵抗(RDS(on))を下げることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷(Qg)や出力容量(Coss)を下げることでスイッチング時の損失を低減します。先進的なQFETRプロセス技術を使用して、競合のプレーナ型MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を提供することができます。

PチャンネルパワーMOSFET 100 V → 150 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。