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IRLML2246TRPBF Infineon Pチャンネル MOSFET20 V 2.6 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン INFINEON
INFINEONInfineon Pチャンネル MOSFET20 V 2.6 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン
エコ商品
Infineon PチャンネルパワーMOSFET 12 → 20 V. InfinionのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は表面実装およびリード線付きパッケージのP-channelデバイス、そしてほとんどの基板レイアウトと熱設計に対応できるフォームファクタを含みます。抵抗値範囲全体のベンチマークで導電損失を低減させます。これにより最大限のシステム効率を実現します。
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 2.6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 236 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 1.1V最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V最大パワー消費 = 1.3 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -12 V， +12 V幅 = 1.4mm高さ = 1.02mm RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(3000個)
￥39,980 税込￥43,978
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IRF7240TRPBF Infineon Pチャンネル MOSFET40 V 10.5 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン INFINEON
INFINEONInfineon Pチャンネル MOSFET40 V 10.5 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン
エコ商品
Infineon PチャンネルパワーMOSFET 40 → 55 V. InfinionのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は表面実装およびリード線付きパッケージのP-channelデバイス、そしてほとんどの基板レイアウトと熱設計に対応できるフォームファクタを含みます。抵抗値範囲全体のベンチマークで導電損失を低減させます。これにより最大限のシステム効率を実現します。
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 10.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 25 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3V最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 2.5 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 1mm動作温度 Min = -55 ℃ RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥2,198 税込￥2,418
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IRFR9024NTRPBF Infineon Pチャンネル MOSFET55 V 11 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン INFINEON
INFINEONInfineon Pチャンネル MOSFET55 V 11 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン
エコ商品
Infineon PチャンネルパワーMOSFET 40 → 55 V. InfinionのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は表面実装およびリード線付きパッケージのP-channelデバイス、そしてほとんどの基板レイアウトと熱設計に対応できるフォームファクタを含みます。抵抗値範囲全体のベンチマークで導電損失を低減させます。これにより最大限のシステム効率を実現します。
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 11 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 175 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 38 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 1mm動作温度 Min = -55 ℃mm RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
￥2,798 税込￥3,078
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IRF4905LPBF Infineon Pチャンネル MOSFET55 V 74 A スルーホール パッケージI2PAK (TO-262) 3 ピン INFINEON
INFINEONInfineon Pチャンネル MOSFET55 V 74 A スルーホール パッケージI2PAK (TO-262) 3 ピン
エコ商品
Infineon PチャンネルパワーMOSFET 40 → 55 V. InfinionのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は表面実装およびリード線付きパッケージのP-channelデバイス、そしてほとんどの基板レイアウトと熱設計に対応できるフォームファクタを含みます。抵抗値範囲全体のベンチマークで導電損失を低減させます。これにより最大限のシステム効率を実現します。
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 74 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 Vパッケージタイプ = I2PAK (TO-262)実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 20 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 3.8 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V動作温度 Max = +175 ℃動作温度 Min = -55 ℃mm RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥2,398 税込￥2,638
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IRLML6401TRPBF Infineon Pチャンネル MOSFET12 V 4.3 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン INFINEON
INFINEONInfineon Pチャンネル MOSFET12 V 4.3 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン
エコ商品
Infineon PチャンネルパワーMOSFET 12 → 20 V. InfinionのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は表面実装およびリード線付きパッケージのP-channelデバイス、そしてほとんどの基板レイアウトと熱設計に対応できるフォームファクタを含みます。抵抗値範囲全体のベンチマークで導電損失を低減させます。これにより最大限のシステム効率を実現します。
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 4.3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 12 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 50 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 0.95V最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V最大パワー消費 = 1.3 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 10 nC @ 5 Vmm高さ = 1.02mm RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(3000個)
￥49,980 税込￥54,978
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IRF7342TRPBF Infineon Pチャンネル MOSFET55 V 3.4 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン INFINEON
INFINEONInfineon Pチャンネル MOSFET55 V 3.4 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン
エコ商品
Infineon PチャンネルパワーMOSFET 40 → 55 V. InfinionのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は表面実装およびリード線付きパッケージのP-channelデバイス、そしてほとんどの基板レイアウトと熱設計に対応できるフォームファクタを含みます。抵抗値範囲全体のベンチマークで導電損失を低減させます。これにより最大限のシステム効率を実現します。
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 3.4 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 170 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 1V最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 2 Wトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 2mm動作温度 Min = -55 ℃mm RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥1,998 税込￥2,198
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IRF9Z34NPBF Infineon Pチャンネル MOSFET55 V 19 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン INFINEON
INFINEONInfineon Pチャンネル MOSFET55 V 19 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン
エコ商品
Infineon PチャンネルパワーMOSFET 40 → 55 V. InfinionのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は表面実装およびリード線付きパッケージのP-channelデバイス、そしてほとんどの基板レイアウトと熱設計に対応できるフォームファクタを含みます。抵抗値範囲全体のベンチマークで導電損失を低減させます。これにより最大限のシステム効率を実現します。
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 19 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 100 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 68 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 1mm動作温度 Min = -55 ℃mm RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
￥3,898 税込￥4,288
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IRFR5305TRPBF Infineon Pチャンネル MOSFET55 V 31 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン INFINEON
INFINEONInfineon Pチャンネル MOSFET55 V 31 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン
エコ商品
Infineon PチャンネルパワーMOSFET 40 → 55 V. InfinionのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は表面実装およびリード線付きパッケージのP-channelデバイス、そしてほとんどの基板レイアウトと熱設計に対応できるフォームファクタを含みます。抵抗値範囲全体のベンチマークで導電損失を低減させます。これにより最大限のシステム効率を実現します。
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 31 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 65 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 110 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 1mm動作温度 Min = -55 ℃ RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(2000個)
￥149,800 税込￥164,780
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IRF9Z24NPBF Infineon Pチャンネル MOSFET55 V 12 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン INFINEON
INFINEONInfineon Pチャンネル MOSFET55 V 12 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン
エコ商品
Infineon PチャンネルパワーMOSFET 40 → 55 V. InfinionのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は表面実装およびリード線付きパッケージのP-channelデバイス、そしてほとんどの基板レイアウトと熱設計に対応できるフォームファクタを含みます。抵抗値範囲全体のベンチマークで導電損失を低減させます。これにより最大限のシステム効率を実現します。
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 12 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 175 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 45 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 19 nC @ 10 V動作温度 Min = -55 ℃mm RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥95 税込￥105
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IRF5305PBF Infineon Pチャンネル MOSFET55 V 31 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン INFINEON
INFINEONInfineon Pチャンネル MOSFET55 V 31 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン
エコ商品
Infineon PチャンネルパワーMOSFET 40 → 55 V. InfinionのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は表面実装およびリード線付きパッケージのP-channelデバイス、そしてほとんどの基板レイアウトと熱設計に対応できるフォームファクタを含みます。抵抗値範囲全体のベンチマークで導電損失を低減させます。これにより最大限のシステム効率を実現します。
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 31 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 60 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 110 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vトランジスタ素材 = Simm高さ = 8.77mm RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
￥7,498 税込￥8,248
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IRF5305STRLPBF Infineon Pチャンネル MOSFET55 V 31 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン INFINEON
INFINEONInfineon Pチャンネル MOSFET55 V 31 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン
エコ商品
Infineon PチャンネルパワーMOSFET 40 → 55 V. InfinionのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は表面実装およびリード線付きパッケージのP-channelデバイス、そしてほとんどの基板レイアウトと熱設計に対応できるフォームファクタを含みます。抵抗値範囲全体のベンチマークで導電損失を低減させます。これにより最大限のシステム効率を実現します。
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 31 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 60 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 110 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 1mm動作温度 Min = -55 ℃mm RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥1,998 税込￥2,198
5日以内出荷
IRF4905STRLPBF Infineon Pチャンネル MOSFET55 V 70 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン INFINEON
INFINEONInfineon Pチャンネル MOSFET55 V 70 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン
エコ商品
Infineon PチャンネルパワーMOSFET 40 → 55 V. InfinionのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は表面実装およびリード線付きパッケージのP-channelデバイス、そしてほとんどの基板レイアウトと熱設計に対応できるフォームファクタを含みます。抵抗値範囲全体のベンチマークで導電損失を低減させます。これにより最大限のシステム効率を実現します。
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 70 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 Vパッケージタイプ = D2PAK (TO-263)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 20 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 170 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 1mm動作温度 Min = -55 ℃mm RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥2,898 税込￥3,188
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IRFU5305PBF Infineon Pチャンネル MOSFET55 V 31 A スルーホール パッケージIPAK (TO-251) 3 ピン INFINEON
INFINEONInfineon Pチャンネル MOSFET55 V 31 A スルーホール パッケージIPAK (TO-251) 3 ピン
エコ商品
Infineon PチャンネルパワーMOSFET 40 → 55 V. InfinionのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は表面実装およびリード線付きパッケージのP-channelデバイス、そしてほとんどの基板レイアウトと熱設計に対応できるフォームファクタを含みます。抵抗値範囲全体のベンチマークで導電損失を低減させます。これにより最大限のシステム効率を実現します。
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 31 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 Vパッケージタイプ = IPAK (TO-251)実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 65 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 110 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 1mm動作温度 Min = -55 ℃mm RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(75個)
￥6,698 税込￥7,368
5日以内出荷
IRLTS2242TRPBF Infineon Pチャンネル MOSFET20 V 6.9 A 表面実装 パッケージTSOP-6 6 ピン INFINEON
INFINEONInfineon Pチャンネル MOSFET20 V 6.9 A 表面実装 パッケージTSOP-6 6 ピン
エコ商品
Infineon PチャンネルパワーMOSFET 12 → 20 V. InfinionのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は表面実装およびリード線付きパッケージのP-channelデバイス、そしてほとんどの基板レイアウトと熱設計に対応できるフォームファクタを含みます。抵抗値範囲全体のベンチマークで導電損失を低減させます。これにより最大限のシステム効率を実現します。
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 6.9 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 6最大ドレイン-ソース間抵抗 = 55 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 1.1V最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V最大パワー消費 = 2 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -12 V， +12 V幅 = 1.75mm高さ = 1.3mm RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(3000個)
￥65,980 税込￥72,578
5日以内出荷
IRF4905PBF Infineon Pチャンネル MOSFET55 V 74 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン INFINEON
INFINEONInfineon Pチャンネル MOSFET55 V 74 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン
エコ商品
Infineon PチャンネルパワーMOSFET 40 → 55 V. InfinionのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は表面実装およびリード線付きパッケージのP-channelデバイス、そしてほとんどの基板レイアウトと熱設計に対応できるフォームファクタを含みます。抵抗値範囲全体のベンチマークで導電損失を低減させます。これにより最大限のシステム効率を実現します。
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 74 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 20 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 200 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃mm RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
￥11,980 税込￥13,178
5日以内出荷
IRFR5505TRPBF Infineon Pチャンネル MOSFET55 V 18 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン INFINEON
INFINEONInfineon Pチャンネル MOSFET55 V 18 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン
エコ商品
Infineon PチャンネルパワーMOSFET 40 → 55 V. InfinionのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は表面実装およびリード線付きパッケージのP-channelデバイス、そしてほとんどの基板レイアウトと熱設計に対応できるフォームファクタを含みます。抵抗値範囲全体のベンチマークで導電損失を低減させます。これにより最大限のシステム効率を実現します。
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 18 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 110 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 57 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 6.22mm高さ = 2.39mm RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(2000個)
￥169,800 税込￥186,780
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