Infineon Pチャンネル MOSFET55 V 18 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン
Infineon PチャンネルパワーMOSFET 40 → 55 V. InfinionのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は表面実装およびリード線付きパッケージのP-channelデバイス、そしてほとんどの基板レイアウトと熱設計に対応できるフォームファクタを含みます。抵抗値範囲全体のベンチマークで導電損失を低減させます。これにより最大限のシステム効率を実現します。
- 仕様
- チャンネルタイプ = P
最大連続ドレイン電流 = 18 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 V
パッケージタイプ = DPAK (TO-252)
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 3
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 110 mΩ
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧 = 4V
最低ゲートしきい値電圧 = 2V
最大パワー消費 = 57 W
トランジスタ構成 = シングル
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
幅 = 6.22mm
高さ = 2.39mm
- RoHS指令(10物質対応)
- 対応
- 内容量
- 1セット(2000個)
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