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仕様●メモリサイズ：4Mbit●構成：512 K x 8ビット●インターフェースタイプ：パラレル●データバス幅：8bit●最大ランダムアクセス時間：45ns●実装タイプ：表面実装●パッケージタイプ：TSOP●ピン数：44●寸法：18.51 x 10.26 x 1.04mm●長さ：18.51mm●幅：10.26mm●高さ：1.04mm●動作供給電圧 Max：3.6 V●動作温度 Max：+85 ℃●ワード数：512Kbit●Cypress CY14B104LA / CY14B104NA は、高速スタティック RAM ( SRAM )で、各メモリセルに不揮発性エレメントを備えています。メモリは、 512 K バイトの 8 ビットごとに構成され、 256 K ワードの 16 ビットごとに構成されています。組み込みの不揮発性エレメントには、 QuantumTrap テクノロジーが組み込まれており、信頼性の高い不揮発性メモリを実現します。SRAM は無制限の読み取り / 書き込みサイクルを提供し、独立した不揮発性データは信頼性の高い QuantumTrap セルに格納されます。SRAM から不揮発性エレメント( STORE 操作)へのデータ転送は、電源を切ると自動的に行われます。電源投入時に、不揮発性メモリから SRAM にデータが復元されます( RECALL 動作)。ソフトウェア制御では、 STORE 操作と RECALL 操作の両方を使用できます。
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
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税込￥7,258
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Cypress CY14B104LA / CY14B104NA は、高速スタティック RAM ( SRAM )で、各メモリセルに不揮発性エレメントを備えています。メモリは、 512 K バイトの 8 ビットごとに構成され、 256 K ワードの 16 ビットごとに構成されています。組み込みの不揮発性エレメントには、 QuantumTrap テクノロジーが組み込まれており、信頼性の高い不揮発性メモリを実現します。SRAM は無制限の読み取り / 書き込みサイクルを提供し、独立した不揮発性データは信頼性の高い QuantumTrap セルに格納されます。SRAM から不揮発性エレメント( STORE 操作)へのデータ転送は、電源を切ると自動的に行われます。電源投入時に、不揮発性メモリから SRAM にデータが復元されます( RECALL 動作)。ソフトウェア制御では、 STORE 操作と RECALL 操作の両方を使用できます。
仕様メモリサイズ = 4Mbit構成 = 512 K x 8ビットインターフェースタイプ = パラレルデータバス幅 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 45ns実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSOPピン数 = 44寸法 = 18.51 x 10.26 x 1.04mm長さ = 18.51mm幅 = 10.26mm高さ = 1.04mm動作供給電圧 Max = 3.6 V動作温度 Max = +85 ℃ワード数 = 512Kbit
RoHS指令(10物質対応)対応
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Cypress CY14X101PA は、1 Mbit nv SRAM [1] とフル機能 RTC をシリアル SPI インターフェース付きのモノリシック集積回路にまとめた製品です。メモリは、それぞれ 128 K ワードの 8 ビットで構成されています。内蔵の不揮発性エレメントには Quantum Trap テクノロジーが組み込まれており、世界で最も信頼性の高い不揮発性メモリを実現します。SRAM は無限の読み取り / 書き込みサイクルを実現しますが、Quantum Trap セルは信頼性の高い不揮発性データストレージを提供します。SRAM から不揮発性エレメントへのデータ転送( STORE 操作)は、パワーダウン時に自動的に行われます。電源投入時に、不揮発性メモリ( RECALL 動作)から SRAM にデータが復元されます。また、SPI 命令を使用して STORE 操作と RECALL 操作を開始することもできます。
仕様メモリサイズ = 1Mbit構成 = 128 k x 8ビットワード数 = 128k1ワード当たりのビット数 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 15nsクロック周波数 = 104MHzローパワー = ありタイミングタイプ = シンクロナス実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 16寸法 = 10.49 x 7.59 x 2.36mm高さ = 2.36mm動作温度 Max = +85 ℃
RoHS指令(10物質対応)対応
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FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力
仕様メモリサイズ = 64kbit構成 = 8 K x 8ビットインターフェースタイプ = シリアル-2 ワイヤー， シリアル-I2Cデータバス幅 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 550ns実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 8寸法 = 4.97 x 3.98 x 1.48mm長さ = 4.97mm動作供給電圧 Max = 3.65 Vmm高さ = 1.48mm動作温度 Max = +85 ℃自動車規格 = AEC-Q100bit
RoHS指令(10物質対応)対応
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FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力
仕様メモリサイズ = 4kbit構成 = 512 x 8ビットインターフェースタイプ = SPIデータバス幅 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 20ns実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 8寸法 = 4.97 x 3.98 x 1.48mm長さ = 4.97mm動作供給電圧 Max = 5.5 Vmm高さ = 1.48mm動作温度 Max = +85 ℃ワード数 = 512bit
RoHS指令(10物質対応)対応
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FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力
仕様メモリサイズ = 1Mbit構成 = 128 k x 8ビットインターフェースタイプ = SPIデータバス幅 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 18ns実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 8寸法 = 4.97 x 3.98 x 1.48mm長さ = 4.97mm幅 = 3.98mm高さ = 1.48mm動作温度 Max = +85 ℃ワード数 = 128kbit
RoHS指令(10物質対応)対応
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FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力
仕様メモリサイズ = 256kbit構成 = 32 K x 8ビットインターフェースタイプ = SPIデータバス幅 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 20ns実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 8寸法 = 4.97 x 3.98 x 1.48mm長さ = 4.97mm幅 = 3.98mm高さ = 1.48mm動作温度 Max = +85 ℃ワード数 = 32kbit
RoHS指令(10物質対応)対応
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FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力
仕様メモリサイズ = 1Mbit構成 = 128 K x 8ビットインターフェースタイプ = I2Cデータバス幅 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 450ns実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 8寸法 = 4.97 x 3.98 x 1.48mm長さ = 4.97mm幅 = 3.98mm高さ = 1.48mm動作温度 Max = +85 ℃動作供給電圧 Min = 2 Vbit
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FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力
仕様メモリサイズ = 16kbit構成 = 2 K x 8ビットインターフェースタイプ = シリアル-2 ワイヤー， シリアル-I2Cデータバス幅 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 3000ns実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 8寸法 = 4.97 x 3.98 x 1.48mm長さ = 4.97mm幅 = 3.98mm高さ = 1.48mm動作温度 Max = +85 ℃ワード数 = 2Kbit
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FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力
仕様メモリサイズ = 16kbit構成 = 2 K x 8ビットインターフェースタイプ = シリアル-2 ワイヤー， シリアル-I2Cデータバス幅 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 3000ns実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DFNピン数 = 8寸法 = 4 x 4.5 x 0.7mm長さ = 4.5mm動作供給電圧 Max = 3.65 Vmm高さ = 0.7mm動作温度 Max = +85 ℃自動車規格 = AEC-Q100bit
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FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力
仕様メモリサイズ = 64kbit構成 = 8 K x 8ビットインターフェースタイプ = SPIデータバス幅 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 20ns実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 8寸法 = 4.97 x 3.98 x 1.48mm長さ = 4.97mm動作供給電圧 Max = 5.5 Vmm高さ = 1.48mm動作温度 Max = +85 ℃1ワード当たりのビット数 = 8bit
RoHS指令(10物質対応)対応
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FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力
仕様メモリサイズ = 64kbit構成 = 8 K x 8ビットインターフェースタイプ = SPIデータバス幅 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 20ns実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 8寸法 = 4.97 x 3.98 x 1.48mm長さ = 4.97mm動作供給電圧 Max = 3.65 Vmm高さ = 1.48mm動作温度 Max = +85 ℃1ワード当たりのビット数 = 8bit
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FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力
仕様メモリサイズ = 64kbit構成 = 8 K x 8ビットインターフェースタイプ = I2Cデータバス幅 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 550ns実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 8寸法 = 4.97 x 3.98 x 1.48mm長さ = 4.97mm幅 = 3.98mm高さ = 1.48mm動作温度 Max = +85 ℃ワード数 = 8kbit
RoHS指令(10物質対応)対応
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FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力
仕様メモリサイズ = 512kbit構成 = 64 K x 8ビットインターフェースタイプ = I2Cデータバス幅 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 450ns実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 8寸法 = 4.97 x 3.98 x 1.48mm長さ = 4.97mm幅 = 3.98mm高さ = 1.48mm動作温度 Max = +85 ℃ワード数 = 64kbit
RoHS指令(10物質対応)対応
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￥169,800
税込￥186,780
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FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力
仕様メモリサイズ = 64kbit構成 = 8 K x 8ビットインターフェースタイプ = SPIデータバス幅 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 20ns実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DFNピン数 = 8寸法 = 4 x 4.5 x 0.7mm長さ = 4.5mm幅 = 4mm高さ = 0.7mm動作温度 Max = +85 ℃動作温度 Min = -40 ℃bit
RoHS指令(10物質対応)対応
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税込￥1,022
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F-RAMプロセッサコンパニオン. プロセッサベースのシステムに最も必要とされる機能を集めた集積デバイスです。. シリアル不揮発性FRAMメモリ リアルタイムクロック(RTC) 低電圧リセット ウォッチドッグタイマ 早期電源障害警告 / NMI 16ビットイベントカウンタ x 2 セキュリティのための書き込み禁止シリアル番号 バッテリ駆動に切り替え イベントカウンタトラッキング I2Cインターフェイス
仕様メモリサイズ = 256kbit構成 = 32 K x 8ビットインターフェースタイプ = I2Cデータバス幅 = 8bit実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 14寸法 = 8.73 x 3.98 x 1.48mm動作供給電圧 Max = 5.5 V動作温度 Max = +85 ℃動作供給電圧 Min = 2.7 Vbit
RoHS指令(10物質対応)対応
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￥119,800
税込￥131,780
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F-RAMプロセッサコンパニオン. プロセッサベースのシステムに最も必要とされる機能を集めた集積デバイスです。. シリアル不揮発性FRAMメモリ リアルタイムクロック(RTC) 低電圧リセット ウォッチドッグタイマ 早期電源障害警告 / NMI 16ビットイベントカウンタ x 2 セキュリティのための書き込み禁止シリアル番号 バッテリ駆動に切り替え イベントカウンタトラッキング I2Cインターフェイス
仕様メモリサイズ = 64kbit構成 = 8 K x 8ビットインターフェースタイプ = シリアル-I2Cデータバス幅 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 3000ns実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 14寸法 = 8.73 x 3.98 x 1.48mm長さ = 4.97mm幅 = 3.98mm高さ = 1.48mm動作温度 Max = +85 ℃1ワード当たりのビット数 = 8bit
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(56個)
￥69,980
税込￥76,978
5日以内出荷
F-RAMプロセッサコンパニオン. プロセッサベースのシステムに最も必要とされる機能を集めた集積デバイスです。. シリアル不揮発性FRAMメモリ リアルタイムクロック(RTC) 低電圧リセット ウォッチドッグタイマ 早期電源障害警告 / NMI 16ビットイベントカウンタ x 2 セキュリティのための書き込み禁止シリアル番号 バッテリ駆動に切り替え イベントカウンタトラッキング I2Cインターフェイス
仕様メモリサイズ = 64kbit構成 = 8 K x 8ビットインターフェースタイプ = シリアル-2 ワイヤー， シリアル-I2Cデータバス幅 = 8bit実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 14寸法 = 8.73 x 3.98 x 1.48mm長さ = 8.73mm幅 = 3.98mm高さ = 1.48mm動作温度 Max = +85 ℃ワード数 = 8Kbit
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
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仕様●メモリサイズ： 1Mbit●構成： 128 k x 8ビット●ワード数： 128k●1ワード当たりのビット数： 8bit●最大ランダムアクセス時間： 15ns●クロック周波数： 104MHz●ローパワー： あり●タイミングタイプ： シンクロナス●実装タイプ： 表面実装●パッケージタイプ： SOIC●ピン数： 16●寸法： 10.49×7.59×2.36mm●高さ： 2.36mm●動作温度 Max： +85 ℃mm●Cypress CY14×101PA は、 1 Mbit nv SRAM [1] とフル機能 RTC をシリアル SPI インターフェース付きのモノリシック集積回路にまとめた製品です。メモリは、それぞれ 128 K ワードの 8 ビットで構成されています。内蔵の不揮発性エレメントには Quantum Trap テクノロジーが組み込まれており、世界で最も信頼性の高い不揮発性メモリを実現します。SRAM は無限の読み取り / 書き込みサイクルを実現しますが、 Quantum Trap セルは信頼性の高い不揮発性データストレージを提供します。SRAM から不揮発性エレメントへのデータ転送( STORE 操作)は、パワーダウン時に自動的に行われます。電源投入時に、不揮発性メモリ( RECALL 動作)から SRAM にデータが復元されます。また、 SPI 命令を使用して STORE 操作と RECALL 操作を開始することもできます。
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
￥1,898
税込￥2,088
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仕様●メモリサイズ： 16kbit●構成： 2 K x 8ビット●インターフェースタイプ： シリアル-2 ワイヤー， シリアル-I2C●データバス幅： 8bit●最大ランダムアクセス時間： 3000ns●実装タイプ： 表面実装●パッケージタイプ： DFN●ピン数： 8●寸法： 4×4.5×0.7mm●長さ： 4.5mm●幅： 4mm●高さ： 0.7mm●動作温度 Max： +85 ℃●ワード数： 2Kbit●FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥2,198
税込￥2,418
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ： 512kbit●構成： 64 K x 8ビット●インターフェースタイプ： I2C●データバス幅： 8bit●最大ランダムアクセス時間： 450ns●実装タイプ： 表面実装●パッケージタイプ： SOIC●ピン数： 8●寸法： 4.97×3.98×1.48mm●長さ： 4.97mm●幅： 3.98mm●高さ： 1.48mm●動作温度 Max： +85 ℃●ワード数： 64kbit●FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(97個)
￥179,800
税込￥197,780
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ： 1Mbit●構成： 128 k x 8ビット●インターフェースタイプ： SPI●データバス幅： 8bit●最大ランダムアクセス時間： 18ns●実装タイプ： 表面実装●パッケージタイプ： SOIC●ピン数： 8●寸法： 4.97×3.98×1.48mm●長さ： 4.97mm●幅： 3.98mm●高さ： 1.48mm●動作温度 Max： +85 ℃●動作供給電圧 Min： 2 Vbit●FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(97個)
￥169,800
税込￥186,780
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ： 4kbit●構成： 512×8ビット●インターフェースタイプ： SPI●データバス幅： 8bit●最大ランダムアクセス時間： 20ns●実装タイプ： 表面実装●パッケージタイプ： SOIC●ピン数： 8●寸法： 4.97×3.98×1.48mm●長さ： 4.97mm●幅： 3.98mm●高さ： 1.48mm●動作温度 Max： +85 ℃●自動車規格： AEC-Q100bit●FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力
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￥1,298
税込￥1,428
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ： 256kbit●構成： 32 K x 8ビット●インターフェースタイプ： SPI●データバス幅： 8bit●最大ランダムアクセス時間： 20ns●実装タイプ： 表面実装●パッケージタイプ： SOIC●ピン数： 8●寸法： 4.97×3.98×1.48mm●長さ： 4.97mm●幅： 3.98mm●高さ： 1.48mm●動作温度 Max： +85 ℃●自動車規格： AEC-Q100bit●FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力
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￥97,980
税込￥107,778
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仕様●メモリサイズ： 64kbit●構成： 8 K x 8ビット●インターフェースタイプ： シリアル-2 ワイヤー， シリアル-I2C●データバス幅： 8bit●最大ランダムアクセス時間： 550ns●実装タイプ： 表面実装●パッケージタイプ： SOIC●ピン数： 8●寸法： 4.97×3.98×1.48mm●長さ： 4.97mm●動作供給電圧 Max： 3.65 Vmm●高さ： 1.48mm●動作温度 Max： +85 ℃●自動車規格： AEC-Q100bit●FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力
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税込￥769
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仕様●メモリサイズ： 64kbit●構成： 8 K x 8ビット●インターフェースタイプ： SPI●データバス幅： 8bit●最大ランダムアクセス時間： 20ns●実装タイプ： 表面実装●パッケージタイプ： DFN●ピン数： 8●寸法： 4×4.5×0.7mm●長さ： 4.5mm●幅： 4mm●高さ： 0.7mm●動作温度 Max： +85 ℃●動作温度 Min： -40 ℃bit●FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力
RoHS指令(10物質対応)対応
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仕様●メモリサイズ： 64kbit●構成： 8 K x 8ビット●インターフェースタイプ： SPI●データバス幅： 8bit●最大ランダムアクセス時間： 20ns●実装タイプ： 表面実装●パッケージタイプ： SOIC●ピン数： 8●寸法： 4.97×3.98×1.48mm●長さ： 4.97mm●動作供給電圧 Max： 3.65 Vmm●高さ： 1.48mm●動作温度 Max： +85 ℃●ワード数： 8Kbit●FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
￥1,398
税込￥1,538
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仕様●メモリサイズ： 64kbit●構成： 8 K x 8ビット●インターフェースタイプ： I2C●データバス幅： 8bit●最大ランダムアクセス時間： 550ns●実装タイプ： 表面実装●パッケージタイプ： SOIC●ピン数： 8●寸法： 4.97×3.98×1.48mm●長さ： 4.97mm●動作供給電圧 Max： 5.5 Vmm●高さ： 1.48mm●動作温度 Max： +85 ℃●ワード数： 8kbit●FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(97個)
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仕様●メモリサイズ： 16kbit●構成： 2 K x 8ビット●インターフェースタイプ： シリアル-2 ワイヤー， シリアル-I2C●データバス幅： 8bit●最大ランダムアクセス時間： 3000ns●実装タイプ： 表面実装●パッケージタイプ： SOIC●ピン数： 8●寸法： 4.97×3.98×1.48mm●長さ： 4.97mm●幅： 3.98mm●高さ： 1.48mm●動作温度 Max： +85 ℃●ワード数： 2Kbit●FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力
RoHS指令(10物質対応)対応
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仕様●メモリサイズ： 256kbit●構成： 32 K x 8ビット●インターフェースタイプ： I2C●データバス幅： 8bit●実装タイプ： 表面実装●パッケージタイプ： SOIC●ピン数： 14●寸法： 8.73×3.98×1.48mm●動作供給電圧 Max： 5.5 V●動作温度 Max： +85 ℃●1ワード当たりのビット数： 8bit●F-RAMプロセッサコンパニオン. プロセッサベースのシステムに最も必要とされる機能を集めた集積デバイスです。. シリアル不揮発性FRAMメモリ リアルタイムクロック(RTC) 低電圧リセット ウォッチドッグタイマ 早期電源障害警告 / NMI 16ビットイベントカウンタ x 2 セキュリティのための書き込み禁止シリアル番号 バッテリ駆動に切り替え イベントカウンタトラッキング I2Cインターフェイス
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(56個)
￥119,800
税込￥131,780
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ： 64kbit●構成： 8 K x 8ビット●インターフェースタイプ： シリアル-2 ワイヤー， シリアル-I2C●データバス幅： 8bit●実装タイプ： 表面実装●パッケージタイプ： SOIC●ピン数： 14●寸法： 8.73×3.98×1.48mm●長さ： 8.73mm●幅： 3.98mm●高さ： 1.48mm●動作温度 Max： +85 ℃●ワード数： 8Kbit●F-RAMプロセッサコンパニオン. プロセッサベースのシステムに最も必要とされる機能を集めた集積デバイスです。. シリアル不揮発性FRAMメモリ リアルタイムクロック(RTC) 低電圧リセット ウォッチドッグタイマ 早期電源障害警告 / NMI 16ビットイベントカウンタ x 2 セキュリティのための書き込み禁止シリアル番号 バッテリ駆動に切り替え イベントカウンタトラッキング I2Cインターフェイス
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