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  • SPB80P06PGATMA1 INFINEON

    SPB80P06PGATMA1

    INFINEON
    749税込824
    1個
    翌々日出荷
  • Infineon Nチャンネル パワーMOSFET INFINEON

    Infineon Nチャンネル パワーMOSFET

    INFINEON
    439税込483
    1袋(5個)ほか
    翌々日出荷から7日以内出荷
  • MOSFET N-Ch INFINEON

    MOSFET N-Ch

    INFINEON
    1,698税込1,868
    1袋(10個)ほか
    翌々日出荷から7日以内出荷
    仕様MOSFET
  • Smart High-Side Power Switch 1.8A TO252 INFINEON

    Smart High-Side Power Switch 1.8A TO252

    INFINEON
    1,798税込1,978
    1袋(5個)
    7日以内出荷
    仕様PROFETスマートハイサイド電源スイッチ、シングルチャンネル、Infineon. 過負荷保護 電流制限 短絡保護 サーマルシャットダウン 過電圧保護 静電気放電(ESD)保護RoHS指令(10物質対応)対応
  • Infineon シングル1:1 アナログスイッチ INFINEON

    Infineon シングル1:1 アナログスイッチ

    INFINEON
    459,800税込505,780
    1リール(2500個)
    7日以内出荷
    仕様構成:シングル1:1 、 パッケージタイプ:TO-252 、 実装タイプ:表面実装 、 標準シングル供給電圧:52 V 、 スイッチタイプ:ハイサイド 、 ピン数:5 、 電源タイプ:シングル 、 入力信号タイプ:CMOS 、 動作温度 Min:-40 ℃ 、 動作温度 Max:+150 ℃ 、 1チップ当たりのチャンネル数:1 、 寸法:6.5 x 6.22 x 2.3mm 、 PROFETスマートハイサイド電源スイッチ、シングルチャンネル、Infineon. 過負荷保護 電流制限 短絡保護 サーマルシャットダウン 過電圧保護 静電気放電(ESD)保護RoHS指令(10物質対応)対応
  • Infineon 電源スイッチIC INFINEON

    Infineon 電源スイッチIC

    INFINEON
    699税込769
    1袋(2個)
    7日以内出荷
    PROFETスマートハイサイド電源スイッチ、シングルチャンネル、Infineon. 過負荷保護 電流制限 短絡保護 サーマルシャットダウン 過電圧保護 静電気放電(ESD)保護
    仕様電源スイッチトポロジ = ハイサイドオン抵抗 = 200mΩ動作供給電圧 Max = 16 V出力数 = 1A実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TO-252ピン数 = 5動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -40 ℃寸法 = 6.5 x 6.22 x 2.3mmRoHS指令(10物質対応)対応
  • Infineon マルチプレクサ INFINEON

    Infineon マルチプレクサ

    INFINEON
    1,698税込1,868
    1袋(2個)
    7日以内出荷
  • Infineon LDO電圧レギュレータ INFINEON

    Infineon LDO電圧レギュレータ

    INFINEON
    1,798税込1,978
    1袋(5個)ほか
    7日以内出荷
  • Infineon 電圧レギュレータ 低ドロップアウト電圧 -2 → 45 V, 5-Pin, TLE4251DATMA1 INFINEON

    Infineon 電圧レギュレータ 低ドロップアウト電圧 -2 → 45 V, 5-Pin, TLE4251DATMA1

    INFINEON
    599税込659
    1袋(2個)
    7日以内出荷
    LDO電圧レギュレータ、Infineon. Infineon固定電圧LDO (低ドロップアウト)リニアレギュレータ製品です。
    仕様出力電流 Max = 800mA出力電圧 = -2 → 45 Vラインレギュレーション = 25 mV精度 = 0.5%実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TO-252μAピン数 = 5出力タイプ = 可変寸法 = 6.5 x 6.22 x 2.3mm動作温度 Min = -40 ℃mm長さ = 6.5mmRoHS指令(10物質対応)対応
  • Infineon ハイサイドスイッチ INFINEON

    Infineon ハイサイドスイッチ

    INFINEON
    759税込835
    1個ほか
    7日以内出荷
  • Infineon 電源スイッチIC INFINEON

    Infineon 電源スイッチIC

    INFINEON
    299,800税込329,780
    1セット(2500個)
    7日以内出荷
    Infineon のスマートなローサイド電源スイッチには、保護機能が組み込まN チャンネル縦型パワー MOSFET が採用されています。この機器はモノリシックに統合されています。車載用の認定を受けており、12 V の車載用途や産業用途向けに最適化されています。OFF 状態では非常に低いパワー DMOS 漏洩電流と 3.3 V / 5 V 互換ロジック入力を備えています。RoHS 準拠で AEC 認定を受けています デジタルフィードバックがあります
    仕様電源スイッチの種類 = ローサイドオン抵抗 = 100MΩチャンネル数 = 1動作供給電圧 Max = 5.5 V最大動作電流 = 0.006Aパッケージタイプ = PG-TO252-5ピン数 = 5RoHS指令(10物質対応)対応
  • Infineon 電圧レギュレータ 低ドロップアウト電圧 昇降圧, 3-Pin, TLF1963TEATMA1 INFINEON

    Infineon 電圧レギュレータ 低ドロップアウト電圧 昇降圧, 3-Pin, TLF1963TEATMA1

    INFINEON
    1,998税込2,198
    1袋(5個)
    7日以内出荷
    Infineon TLF1963TE シリーズは、 PG-TO252-5 SMD パッケージで提供される低ドロップアウト電圧レギュレータです。このデバイスは、最大 1.5 A の負荷を供給できますTLF1963 は、複数の供給電圧を必要とするシステムに最適なソリューションを提供します。この調整機能により、レギュレータは、 1.21 V →利用可能な入力電圧のすべての供給電圧を供給できるため、システム設計者に高い柔軟性を提供できます。ワイド入力電圧範囲 出力セラミックキャップをサポート 環境配慮製品 RoHS対応 AEC認定
    仕様レギュレータ機能 = 規格出力電流 Max = 1.5A出力数 = 1ラインレギュレーション = 3 mVロードレギュレーション = 12 mV%パッケージタイプ = TO-252ピン数 = 3出力タイプ = 可変RoHS指令(10物質対応)対応
  • Infineon IKB06N60TATMA1 INFINEON

    Infineon IKB06N60TATMA1

    INFINEON
    629税込692
    1袋(2個)
    7日以内出荷
    IGBT
    RoHS指令(10物質対応)対応
  • Infineon MOSFET INFINEON

    Infineon MOSFET

    INFINEON
    1,898税込2,088
    1袋(5個)
    7日以内出荷
    仕様MOSFET・モスフェットRoHS指令(10物質対応)対応
  • Infineon Pチャンネル MOSFET60 V 30 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン INFINEON

    Infineon Pチャンネル MOSFET60 V 30 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン

    INFINEON
    1,798税込1,978
    1袋(10個)
    7日以内出荷
    Infineon SIPMOSR PチャンネルMOSFET. Infineon SIPMOS ;sup>;R ;/sup>;小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。 SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。. ・ AEC Q101適合(データシートを参照してください) ・ 無鉛めっき、RoHS対応
    仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 30 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 75 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 125 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vトランジスタ素材 = Simm順方向ダイオード電圧 = 1.7V
  • Infineon 低ノイズLDO電圧レギュレータ INFINEON

    Infineon 低ノイズLDO電圧レギュレータ

    INFINEON
    459税込505
    1個ほか
    7日以内出荷
  • Infineon Nチャンネル MOSFET60 V 100 A 表面実装 パッケージPG-TO263-3 INFINEON

    Infineon Nチャンネル MOSFET60 V 100 A 表面実装 パッケージPG-TO263-3

    INFINEON
    1,198税込1,318
    1袋(5個)
    7日以内出荷
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 100 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = PG-TO263-3実装タイプ = 表面実装RoHS指令(10物質対応)対応
  • Infineon Nチャンネル MOSFETトランジスタ 155 A パッケージPG-HSOF-8 INFINEON

    Infineon Nチャンネル MOSFETトランジスタ 155 A パッケージPG-HSOF-8

    INFINEON
    759税込835
    1個
    7日以内出荷
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 155 Aパッケージタイプ = PG-HSOF-8RoHS指令(10物質対応)対応
  • Infineon Nチャンネル MOSFET800 V 3.9 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン INFINEON

    Infineon Nチャンネル MOSFET800 V 3.9 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン

    INFINEON
    229,800税込252,780
    1セット(2500個)
    7日以内出荷
    Infineon の 800 V Cool MOS CE MOSFET は、安全性と性能及び耐久性を兼ね備えた高電圧容量で、最高の効率レベルで安定した設計が可能です。RoHS に準拠しています
    仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 3.9 A最大ドレイン-ソース間電圧 800 Vシリーズ CoolMOS(TM) CE実装タイプ 表面実装ピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 1.4 Ω最大ゲートしきい値電圧 3.9V1チップ当たりのエレメント数 1RoHS指令(10物質対応)対応
  • Infineon Nチャンネル MOSFET30 V 57 A 表面実装 パッケージTDSON 8 ピン INFINEON

    Infineon Nチャンネル MOSFET30 V 57 A 表面実装 パッケージTDSON 8 ピン

    INFINEON
    1,998税込2,198
    1袋(25個)
    7日以内出荷
    Infineon OptiMOSパワーMOSFETファミリ. OptiMOS製品は、最も困難な用途にも対応できるよう高性能なパッケージに収納されています。このため、限られたスペースで最大限に柔軟性を発揮できます。 これらのInfineon製品は、コンピューティング用途における次世代の厳しい電圧調整規格のエネルギー効率と電力密度の要件に適合し、上回るように設計されています。. Nチャンネル - 強化モード 車載AEC Q101認定 MSL1最大260 ℃のピークリフロー 175 ℃の動作温度 環境配慮製品(鉛フリー) 超低Rds(on)
    仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 57 A最大ドレイン-ソース間電圧 30 Vシリーズ OptiMOS(TM)実装タイプ 表面実装ピン数 8最大ドレイン-ソース間抵抗 7.2 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 2V最低ゲートしきい値電圧 1.2V最大パワー消費 28 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V, +20 Vトランジスタ素材 Simm動作温度 Min -55 ℃mm
  • Infineon Pチャンネル パワーMOSFET INFINEON

    Infineon Pチャンネル パワーMOSFET

    INFINEON
    799税込879
    1袋(10個)ほか
    7日以内出荷
  • Infineon Nチャンネル MOSFET25 V 153 A 表面実装 パッケージTSON-8-3 8 ピン INFINEON

    Infineon Nチャンネル MOSFET25 V 153 A 表面実装 パッケージTSON-8-3 8 ピン

    INFINEON
    459,800税込505,780
    1セット(5000個)
    7日以内出荷
    仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 153 A最大ドレイン-ソース間電圧 25 Vシリーズ OptiMOS(TM)実装タイプ 表面実装ピン数 81チップ当たりのエレメント数 1RoHS指令(10物質対応)対応
  • Infineon Nチャンネル MOSFET30 V 100 A 表面実装 パッケージTDSON 8 ピン INFINEON

    Infineon Nチャンネル MOSFET30 V 100 A 表面実装 パッケージTDSON 8 ピン

    INFINEON
    2,198税込2,418
    1袋(10個)
    7日以内出荷
    Infineon OptiMOSパワーMOSFETファミリ. OptiMOS製品は、最も困難な用途にも対応できるよう高性能なパッケージに収納されています。このため、限られたスペースで最大限に柔軟性を発揮できます。 これらのInfineon製品は、コンピューティング用途における次世代の厳しい電圧調整規格のエネルギー効率と電力密度の要件に適合し、上回るように設計されています。. Nチャンネル 強化モード 車載AEC Q101認定 MSL1最大260 ℃のピークリフロー 175 ℃の動作温度 環境配慮製品(鉛フリー) 超低Rds(on)
    仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 100 A最大ドレイン-ソース間電圧 30 Vシリーズ OptiMOS(TM)実装タイプ 表面実装ピン数 8最大ドレイン-ソース間抵抗 1.4 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大パワー消費 96 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V, +20 V動作温度 Max +150 ℃mm動作温度 Min -55 ℃V
  • Infineon Nチャンネル MOSFET40 V 49 A 表面実装 パッケージTDSON 8 ピン INFINEON

    Infineon Nチャンネル MOSFET40 V 49 A 表面実装 パッケージTDSON 8 ピン

    INFINEON
    569税込626
    1袋(5個)
    7日以内出荷
    Infineon OptiMOS3パワーMOSFET、最大40 V. OptiMOS製品は、最も困難な用途にも対応できるよう高性能なパッケージに収納されています。このため、限られたスペースで最大限に柔軟性を発揮できます。 これらのInfineon製品は、コンピューティング用途における次世代の厳しい電圧調整規格のエネルギー効率と電力密度の要件に適合し、上回るように設計されています。. 高速スイッチングMOSFET、SMPS用 DC/DCコンバータ用に最適化された技術 対象用途に対してJEDEC1に適合 Nチャンネル、ロジックレベル 優れたゲート電荷量 R DS(on)製品(FOM) 超低オン抵抗 DS(on) 鉛フリーめっき
    仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 49 A最大ドレイン-ソース間電圧 40 Vシリーズ OptiMOS(TM) 3実装タイプ 表面実装ピン数 8最大ドレイン-ソース間抵抗 13.7 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 2V最低ゲートしきい値電圧 1.2V最大パワー消費 2.5 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V, +20 Vトランジスタ素材 Simm動作温度 Min -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
  • Infineon Nチャンネル MOSFET30 V 122 A 表面実装 パッケージPG-TO220-3-1 INFINEON

    Infineon Nチャンネル MOSFET30 V 122 A 表面実装 パッケージPG-TO220-3-1

    INFINEON
    309税込340
    1袋(5個)
    7日以内出荷
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 122 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = PG-TO220-3-1実装タイプ = 表面実装RoHS指令(10物質対応)対応
  • Infineon 整流ダイオード, コモンアノード, 120mA, 40V 表面実装, 3-Pin SOT-23 INFINEON

    Infineon 整流ダイオード, コモンアノード, 120mA, 40V 表面実装, 3-Pin SOT-23

    INFINEON
    89,980税込98,978
    1セット(10000個)
    7日以内出荷
    仕様実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23最大連続 順方向電流 = 120mAピーク逆繰返し電圧 = 40Vシリーズ = BAS40ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 2RoHS指令(10物質対応)対応
  • Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 137 A 表面実装 パッケージPG - TO 252-3 INFINEON

    Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 137 A 表面実装 パッケージPG - TO 252-3

    INFINEON
    539税込593
    1袋(2個)
    7日以内出荷
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 137 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = PG - TO 252-3実装タイプ = 表面実装RoHS指令(10物質対応)対応
  • Infineon Nチャンネル 小信号 MOSFET INFINEON

    Infineon Nチャンネル 小信号 MOSFET

    INFINEON
    6,898税込7,588
    1リール(500個)
    7日以内出荷
  • Infineon Nチャンネル MOSFET40 V 85 A 表面実装 パッケージTDSON 8 ピン INFINEON

    Infineon Nチャンネル MOSFET40 V 85 A 表面実装 パッケージTDSON 8 ピン

    INFINEON
    879税込967
    1袋(10個)
    7日以内出荷
    Infineon BSC050N04LS G OptiMOS 40 V は、サーバーやデスクトップなどの Switched Mode 電源( SMPS )の同期整流に最適です。さらに、これらのデバイスは、モータ制御、高速スイッチング DC-DC コンバータなど、幅広い産業用途に使用できます。最高レベルのシステム効率 並列の必要性を軽減 電力密度の向上 システムコストの削減
    仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 85 A最大ドレイン-ソース間電圧 40 Vシリーズ OptiMOS(TM)実装タイプ 表面実装ピン数 8最大ドレイン-ソース間抵抗 7.2 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 2V最低ゲートしきい値電圧 1.2V最大パワー消費 57 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 20 V幅 6.35mm高さ 1.1mmRoHS指令(10物質対応)対応
  • Infineon 整流ダイオード, 70mA, 70V 表面実装, 3-Pin SOT-23 INFINEON

    Infineon 整流ダイオード, 70mA, 70V 表面実装, 3-Pin SOT-23

    INFINEON
    93,980税込103,378
    1セット(10000個)
    7日以内出荷
    仕様実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23最大連続 順方向電流 = 70mAピーク逆繰返し電圧 = 70Vシリーズ = BAS70ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 2RoHS指令(10物質対応)対応
  • Infineon Nチャンネル MOSFET INFINEON

    Infineon Nチャンネル MOSFET

    INFINEON
    339税込373
    1袋(5個)ほか
    7日以内出荷
  • Infineon Nチャンネル MOSFET250 V 5 A 表面実装 パッケージPG-TSDSON-8-2 INFINEON

    Infineon Nチャンネル MOSFET250 V 5 A 表面実装 パッケージPG-TSDSON-8-2

    INFINEON
    899税込989
    1袋(5個)
    7日以内出荷
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 250 Vパッケージタイプ = PG-TSDSON-8-2実装タイプ = 表面実装RoHS指令(10物質対応)対応
  • Infineon Nチャンネル MOSFET200 V 11.3 A 表面実装 パッケージPG-TSDSON-8 8 ピン INFINEON

    Infineon Nチャンネル MOSFET200 V 11.3 A 表面実装 パッケージPG-TSDSON-8 8 ピン

    INFINEON
    3,198税込3,518
    1袋(5個)
    7日以内出荷
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 11.3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 Vパッケージタイプ = PG-TSDSON-8実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8チャンネルモード = エンハンスメント型1チップ当たりのエレメント数 = 1RoHS指令(10物質対応)対応
  • Infineon Nチャンネル MOSFET55 V 30 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン INFINEON

    Infineon Nチャンネル MOSFET55 V 30 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン

    INFINEON
    1,798税込1,978
    1袋(20個)
    7日以内出荷
    Infineon OptiMOS シリーズ N チャンネル MOSFET は、 DPAK パッケージに収納されています。最高の電流能力、最低のスイッチング損失、及び導電電力損失により、高い熱効率と堅牢なパッケージにより、優れた品質と信頼性を実現しています。車載AEC Q101認定 MSL1 Peak リフロー:最高 260 ° C 175 ° C の動作温度 グリーンパッケージ 超低 RDS 100% アバランシェ試験済み
    仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 30 A最大ドレイン-ソース間電圧 55 Vシリーズ OptiMOS(TM)実装タイプ 表面実装ピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 0.035 Ωチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 2Vトランジスタ素材 SiRoHS指令(10物質対応)対応
  • Infineon Nチャンネル MOSFET650 V 31.2 A 表面実装 パッケージTO-263 3 ピン INFINEON

    Infineon Nチャンネル MOSFET650 V 31.2 A 表面実装 パッケージTO-263 3 ピン

    INFINEON
    529,800税込582,780
    1セット(1000個)
    7日以内出荷
    Infineon のクール MOS の設計は、超ジャンクション( SJ )の原理に基づいて設計された Infineon Technologies のパイオニアである、高電圧 MOSFET 向けの革新的な技術です。600 Cool MOS C7 シリーズは、SJ MOSFET サプライヤの経験と高度な技術革新を兼ね備えた製品です。600 C7 は、RDS on * が オーム mm 未満の初めてのテクノロジーです。超高速ボディダイオード
    仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 31.2 A最大ドレイン-ソース間電圧 650 Vシリーズ CoolMOS(TM)実装タイプ 表面実装ピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 0.11 Ωチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4.5V1チップ当たりのエレメント数 1RoHS指令(10物質対応)対応
  • Infineon Nチャンネル MOSFET250 V 25 A 表面実装 パッケージTDSON 8 ピン INFINEON

    Infineon Nチャンネル MOSFET250 V 25 A 表面実装 パッケージTDSON 8 ピン

    INFINEON
    1,998税込2,198
    1袋(5個)
    7日以内出荷
    Infineon OptiMOS3パワーMOSFET、100 V以上
    仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 25 A最大ドレイン-ソース間電圧 250 Vシリーズ OptiMOS(TM) 3実装タイプ 表面実装ピン数 8最大ドレイン-ソース間抵抗 60 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大パワー消費 125 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V, +20 V動作温度 Max +150 ℃mm高さ 1.1mm
  • Infineon Nチャンネル MOSFET40 V 160 A 表面実装 パッケージPG-TO263-7-3 INFINEON

    Infineon Nチャンネル MOSFET40 V 160 A 表面実装 パッケージPG-TO263-7-3

    INFINEON
    849税込934
    1袋(2個)
    7日以内出荷
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 160 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = PG-TO263-7-3実装タイプ = 表面実装RoHS指令(10物質対応)対応
  • Infineon 整流ダイオード, 逆並列ペア, 110mA, 4V 表面実装, 4-Pin SOT-143 INFINEON

    Infineon 整流ダイオード, 逆並列ペア, 110mA, 4V 表面実装, 4-Pin SOT-143

    INFINEON
    1,798税込1,978
    1袋(15個)
    7日以内出荷
    仕様実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-143最大連続 順方向電流 = 110mAピーク逆繰返し電圧 = 4Vシリーズ = BAT15-099Rダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 41チップ当たりのエレメント数 = 2RoHS指令(10物質対応)対応
  • Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 100 A 表面実装 パッケージTDSON 8 ピン INFINEON

    Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 100 A 表面実装 パッケージTDSON 8 ピン

    INFINEON
    2,198税込2,418
    1袋(10個)
    7日以内出荷
    Infineon OptiMOS3パワーMOSFET、100 V以上
    仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 100 A最大ドレイン-ソース間電圧 100 Vパッケージタイプ TDSON実装タイプ 表面実装ピン数 8最大ドレイン-ソース間抵抗 8.6 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大パワー消費 156 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V, +20 V動作温度 Max +150 ℃mm順方向ダイオード電圧 1.2VInfineon OptiMOS(TM)3パワーMOS(TM)ET、100 V以上
  • Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 40 A 表面実装 パッケージPQFN 3 x 3 8 ピン INFINEON

    Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 40 A 表面実装 パッケージPQFN 3 x 3 8 ピン

    INFINEON
    1,998税込2,198
    1袋(10個)
    7日以内出荷
    仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 40 A最大ドレイン-ソース間電圧 100 Vシリーズ OptiMOS(TM) 3実装タイプ 表面実装ピン数 8最大ドレイン-ソース間抵抗 0.015 Ωチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 2.1V1チップ当たりのエレメント数 1RoHS指令(10物質対応)対応
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