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仕様ロジックファミリー:74HC 、 ロジック機能:バッファ 、 1チップ当たりのチャンネル数:8 、 入力タイプ:LS-TTL 、 出力タイプ:3ステート 、 極性:反転 、 実装タイプ:表面実装 、 パッケージタイプ:SOIC 、 ピン数:20 、 高レベル出力電流 Max:7.8mA 、 低レベル出力電流 Max:7.8mA 、 最大伝播遅延時間 @ 最大 CL:208ns 、 寸法:13.005 x 7.595 x 2.34mm 、 高さ:2.34mm 、 動作温度 Max: +85 ℃ 、 74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS
1袋(10個)
869 税込956
欠品中

長さ(mm)19.55 寸法(mm)19.55×6.85×3.43 高さ(mm)3.43 出力方式CMOS ピン数(ピン)16 伝送方法CMOS、TTLtoCMOS パッケージSOIC 実装タイプ表面実装 動作供給電圧(V)DC18 低レベル出力電流(mA)8.8 高レベル出力電流(mA)-8.8 最大伝播遅延時間@最大CL370ns@50pF ロジックファミリーCMOS、TTL ロジック機能レベルトランスレータ
1袋(5個)ほか
699 税込769
5日以内出荷
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仕様74ACTファミリ、FairchildSemiconductor.アドバンスドCMOSロジック動作電圧4.5~5.5互換性入力TTL、出力CMOS ピン数(ピン)20 極性非反転 出力レベルTTL 入力レベルTTL パッケージSOIC 実装タイプ表面実装 1チップ当たりのエレメント数18 1チップ当たりのチャンネル数8 低レベル出力電流(mA)75 高レベル出力電流(mA)-75 最大伝播遅延時間@最大CL9ns ロジックファミリー74ACT ロジック機能バストランシーバ
1袋(10個)ほか
1,498 税込1,648
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ON SEMICONDUCTORBuffer/Line Driver 8-Ch 3-State TSSOP20
エコ商品
仕様ロジックファミリー = 74LVTロジック機能 = バッファ, ラインドライバ1チップ当たりのチャンネル数 = 8出力タイプ = 3ステート極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 20高レベル出力電流 Max = -32mA低レベル出力電流 Max = 64mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 4.2ns寸法 = 6.5 x 4.4 x 0.9mm高さ = 0.9mm長さ = 6.5mm RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(73個)
14,980 税込16,478
5日以内出荷



仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 35 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V, +8 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 500 mW標準ターンオフ遅延時間 = 18 nsPowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、最大9.9 A、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
499 税込549
5日以内出荷



仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 150 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 16 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 310000 mW標準ターンオフ遅延時間 = 39 nsPowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、最大9.9 A、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1個
749 税込824
5日以内出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 1.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 70 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V, +8 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 500 mW標準ターンオン遅延時間 = 5 nsPowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、最大9.9 A、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
689 税込758
5日以内出荷


仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 265 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2.5 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 395 W標準ターンオフ遅延時間 = 348 nsPowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、60 A超、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1個
899 税込989
5日以内出荷

仕様ロジックファミリー:74ACT●ロジック機能:バッファ, ドライバ●入力タイプ:シングルエンド●出力タイプ:3ステート●極性:非反転●実装タイプ:表面実装●パッケージタイプ:TSSOP●ピン数:20●高レベル出力電流 Max:24mA●低レベル出力電流 Max:24mA●最大伝播遅延時間 @ 最大 CL:12.5 ns @ 50 pF●寸法:6.5 x 4.4 x 0.9mm●高さ:0.9mm●動作供給電圧 Min:4.5 V●74ACTファミリ、Fairchild Semiconductor. アドバンスドCMOSロジック 動作電圧: 4.5 → 5.5 互換性: 入力TTL、出力CMOS RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(73個)
11,980 税込13,178
5日以内出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 150 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 42 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 150 W標準ターンオフ遅延時間 = 27 nsPowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、最大9.9 A、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
2,198 税込2,418
5日以内出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 15 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 150 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 40 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220F実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 22 W標準ターンオン遅延時間 = 14 nsPowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
3,898 税込4,288
5日以内出荷

ON SEMICONDUCTORHex Inverter Schmitt Trigger SOIC14
エコ商品
仕様(ロジックファミリー)ACT、(ロジック機能)インバータ、(シュミットトリガ入力)あり 寸法(mm)8.75×4×1.5 出力方式オープンコレクタ 入力方式シュミットトリガー ピン数(ピン)14 RoHS指令(10物質対応)対応 パッケージSOIC 実装タイプ表面実装 動作供給電圧(V)(Min)4.5 1チップ当たりのチャンネル数6 低レベル出力電流(mA)75 高レベル出力電流(mA)-75 最大伝播遅延時間@最大CL15ns
1リール(2500個)
74,980 税込82,478
5日以内出荷




仕様ロジックファミリー:LCX●ロジック機能:バッファ, ラインドライバ●1チップ当たりのチャンネル数:8●出力タイプ:3ステート●極性:非反転●実装タイプ:表面実装●パッケージタイプ:SOIC●ピン数:20●高レベル出力電流 Max:-24mA●低レベル出力電流 Max:24mA●最大伝播遅延時間 @ 最大 CL:7.5ns●寸法:6.5 x 4.4 x 0.9mm●高さ:0.9mm●動作供給電圧 Min:2 V●74LCXファミリ、Fairchild Semiconductor. 高性能高速(低電圧) CMOSロジック 動作電圧範囲: 2.0 → 3.6 V 5 V許容入力 / 出力 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
719 税込791
5日以内出荷



ロジック機能インバータ 1チップ当たりのエレメント数6 シュミットトリガー入力なし 高レベル出力電流(mA)-5.2 実装タイプ表面実装 パッケージSOIC ピン数(ピン)14 ロジックファミリーHC 寸法(mm)8.75×4×1.5 高さ(mm)1.5 仕様74HCファミリ、FairchildSemiconductor.高速CMOSロジック動作電圧2~6V互換性入力CMOS、出力CMOS
1袋(10個)ほか
699 税込769
5日以内出荷
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 12 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 9 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = D2PAK (TO-263)実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 310000 mW標準ターンオフ遅延時間 = 96 ns自動車用NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。 RoHS指令(10物質対応)対応
1個
569 税込626
5日以内出荷

仕様ロジックファミリー:74LVT●ロジック機能:バッファ, ラインドライバ●1チップ当たりのチャンネル数:8●出力タイプ:3ステート●極性:非反転●実装タイプ:表面実装●パッケージタイプ:TSSOP●ピン数:20●高レベル出力電流 Max:-32mA●低レベル出力電流 Max:64mA●最大伝播遅延時間 @ 最大 CL:4.2ns●寸法:6.5 x 4.4 x 0.9mm●高さ:0.9mm●動作供給電圧 Min:2.7 V●74LVTファミリ、Fairchild Semiconductor. 低電圧BiCMOSテクノロジロジック 動作電圧: 2.7 → 3.6 互換性: 入力LVTTL/TTL、出力LVTTL RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
2,298 税込2,528
5日以内出荷

仕様ロジック機能 = インバータ入力タイプ = シュミットトリガー1チップ当たりのエレメント数 = 6シュミットトリガ入力 = あり最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 7.5ns高レベル出力電流 Max = -24mA低レベル出力電流 Max = 24mA実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 14ロジックファミリー = LCX寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm動作供給電圧 Min = 2 V74LCXファミリ、Fairchild Semiconductor. 高性能高速(低電圧) CMOSロジック 動作電圧範囲: 2.0 → 3.6 V 5 V許容入力 / 出力 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
679 税込747
翌々日出荷

仕様ロジックファミリー:HC 、 ロジック機能:バッファ, ラインドライバ 、 1チップ当たりのチャンネル数:8 、 入力タイプ:シングルエンド 、 出力タイプ:3ステート 、 極性:非反転 、 実装タイプ:表面実装 、 パッケージタイプ:SOIC W 、 ピン数:20 、 高レベル出力電流 Max:-7.8mA 、 低レベル出力電流 Max:7.8mA 、 最大伝播遅延時間 @ 最大 CL:165 ns @ 2 V 、 寸法:13 x 7.6 x 2.35mm 、 高さ:2.35mm 、 動作温度 Min:-40 ℃ 、 74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS RoHS指令(10物質対応)対応
1リール(1000個)
55,980 税込61,578
5日以内出荷

仕様ロジック機能 = NAND実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 4ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = Nパッケージタイプ = SOICピン数 = 14ロジックファミリー = HC動作供給電圧 Max = 6 V高レベル出力電流 Max = -5.2mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 15 ns @ 6 V, 18 ns @ 4.5 V, 90 ns @ 2 V動作供給電圧 Min = 2 V低レベル出力電流 Max = 5.2mA寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
579 税込637
5日以内出荷

仕様ロジックファミリー:HC 、 ロジック機能:バッファ, ラインドライバ 、 1チップ当たりのチャンネル数:8 、 入力タイプ:シングルエンド 、 出力タイプ:3ステート 、 極性:非反転 、 実装タイプ:表面実装 、 パッケージタイプ:SOIC W 、 ピン数:20 、 高レベル出力電流 Max:-7.8mA 、 低レベル出力電流 Max:7.8mA 、 最大伝播遅延時間 @ 最大 CL:165 ns @ 2 V 、 寸法:13 x 7.6 x 2.35mm 、 高さ:2.35mm 、 動作温度 Min:-40 ℃ 、 74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
479 税込527
5日以内出荷


仕様ロジックファミリー = 74LCXロジック機能 = バッファ, ラインドライバ1チップ当たりのチャンネル数 = 8入力タイプ = シングルエンド出力タイプ = 3ステート極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 20高レベル出力電流 Max = -24mA低レベル出力電流 Max = 24mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 7.5ns寸法 = 6.5 x 4.4 x 0.9mm高さ = 0.9mm動作温度 Max = +85 ℃74LCXファミリ、Fairchild Semiconductor. 高性能高速(低電圧) CMOSロジック 動作電圧範囲: 2.0 → 3.6 V 5 V許容入力 / 出力 RoHS指令(10物質対応)対応
1枚(5個)
659 税込725
5日以内出荷


仕様ロジック機能 = インバータ入力タイプ = シュミットトリガー1チップ当たりのエレメント数 = 6シュミットトリガ入力 = あり最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 18.5ns高レベル出力電流 Max = -8mA低レベル出力電流 Max = 8mA実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 14ロジックファミリー = VHC寸法 = 5 x 4.4 x 0.9mm幅 = 4.4mm74VHCファミリ、Fairchild Semiconductors. アドバンスド高速CMOSロジック 動作電圧: 2.0 → 5.5 互換性: 入力CMOS、出力CMOS RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
759 税込835
翌々日出荷

仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 6.6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 530 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 2500 mW標準ターンオフ遅延時間 = 20 ns自動車用PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
729 税込802
5日以内出荷