ON SEMICONDUCTORの制御機器/はんだ・静電気対策用品

オンセミ，整流ダイオード， 3A， 200V， 2-Pin DO-201AD ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORオンセミ，整流ダイオード， 3A， 200V， 2-Pin DO-201AD

仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 200V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-201ADダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1V高さ = 9.5mm直径 = 5.3mm動作温度 Max = +150 ℃メーカー品番がNSV-又はSUR-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 整流ダイオード、2 A → 3 A、ON Semiconductor

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￥369 税込￥406

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ON SEMICONDUCTOR整流用ブリッジダイオード GBPCシリーズ

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ダイオードシリコンジャンクション実装タイプスクリューマウント長さ(mm)29 寸法(mm)29×29×11.23 ピン数(ピン)4 動作温度(℃)-55～150 回路構成シングルピーク逆電流(μA)500 ピーク順方向電圧(V)1.1 ブリッジタイプ単相

1袋(2個)ほか

￥729～税込￥802～

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ON Semiconductor NPN トランジスタ， 45 V， 800 mA， 3-Pin TO-92 ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORON Semiconductor NPN トランジスタ， 45 V， 800 mA， 3-Pin TO-92

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 800 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 170トランジスタ構成 = シングル最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.7 V小信号NPNトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild Semiconductor

1袋(10個)

￥279 税込￥307

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ON Semiconductor NPN トランジスタスルーホール ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORON Semiconductor NPN トランジスタスルーホール

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￥259～税込￥285～

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オンセミ，ツェナーダイオード， 24V， 1 W， 2-Pin DO-41 ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORオンセミ，ツェナーダイオード， 24V， 1 W， 2-Pin DO-41

仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 1 Wパッケージタイプ = DO-41ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 10.5mA最大ツェナーインピーダンス = 25Ω最大逆漏れ電流 = 5μA長さ = 5.2mm直径 = 2.72mm寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor

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￥879 税込￥967

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オンセミ，ツェナーダイオード， 5.1V， 1 W， 2-Pin DO-41 ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORオンセミ，ツェナーダイオード， 5.1V， 1 W， 2-Pin DO-41

仕様標準ツェナー電圧 = 5.1V実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 1 Wパッケージタイプ = DO-41ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 49mA最大ツェナーインピーダンス = 7Ω最大逆漏れ電流 = 10μA長さ = 5.2mm直径 = 2.72mm寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor

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￥879 税込￥967

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オンセミ，整流ダイオード， 3A， 600V， 2-Pin DO-201AD ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORオンセミ，整流ダイオード， 3A， 600V， 2-Pin DO-201AD

仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 600V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-201ADダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1V高さ = 9.5mm直径 = 5.3mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 200Aメーカー品番がNSV-又はSUR-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 整流ダイオード、2 A → 3 A、ON Semiconductor

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￥369 税込￥406

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ON SEMICONDUCTORオンセミ，整流ダイオード

1個ほか

￥259～税込￥285～

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オンセミ，ツェナーダイオード， 18V， 1 W， 2-Pin DO-41 ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORオンセミ，ツェナーダイオード， 18V， 1 W， 2-Pin DO-41

仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 1 Wパッケージタイプ = DO-41ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 14mA最大ツェナーインピーダンス = 20Ω最大逆漏れ電流 = 5μA長さ = 5.2mm直径 = 2.72mm寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2 Lmmパワー消費 = 1Wツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor

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￥929 税込￥1,022

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オンセミ，整流ダイオード， 1A， 400V， 2-Pin DO-41 ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORオンセミ，整流ダイオード， 1A， 400V， 2-Pin DO-41

仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 400V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-41ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.25V高さ = 5.2mmピーク逆回復時間 = 50ns直径 = 2.72mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A整流ダイオード、1 A → 1.5 A、Fairchild Semiconductor

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￥1,790 税込￥1,969

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オンセミ，ツェナーダイオード， 36V， 5 W， 2-Pin Surmetic 40 ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORオンセミ，ツェナーダイオード， 36V， 5 W， 2-Pin Surmetic 40

仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 5 Wパッケージタイプ = Surmetic 40ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 30mA最大ツェナーインピーダンス = 160Ω最大逆漏れ電流 = 500nA長さ = 8.89mm直径 = 3.68mm寸法 = 3.68 (Dia.) x 8.89mm動作温度 Max = +200 ℃ツェナーダイオード5 W Surmetic、1N5364 → 1N5388シリーズ、ON Semiconductor. 厳格な制限、優れた動作特性を備えるツェナーダイオード5 Wの一連のシリーズです。

1袋(10個)

￥499 税込￥549

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ON SEMICONDUCTORオンセミ，整流ダイオード， 1A， 400V， 2-Pin DO-41

仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 400V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-41ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.1V高さ = 5.2mm直径 = 2.7mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30Aメーカー品番がNSV-又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 整流ダイオード、1 A → 1.5 A、ON Semiconductor

1袋(50個)

￥1,290 税込￥1,419

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ON Semiconductor PNP トランジスタ， 60 V， 800 mA， 3-Pin TO-92 ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORON Semiconductor PNP トランジスタ， 60 V， 800 mA， 3-Pin TO-92

仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 800 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 50トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.19mm小信号PNPトランジスタ、60 → 160 V、Fairchild Semiconductor

1袋(10個)

￥269 税込￥296

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ON Semiconductor NPN トランジスタ， 25 V， 1.5 A， 3-Pin TO-92 ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORON Semiconductor NPN トランジスタ， 25 V， 1.5 A， 3-Pin TO-92

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1.5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 25 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 1 W最小DC電流ゲイン = 40トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 40 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.5 V小信号NPNトランジスタ、最大30 V、Fairchild Semiconductor

1袋(10個)

￥249 税込￥274

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ON Semiconductor Nチャンネル小信号 MOSFET， 60 V， 200 mA， 3 ピンパッケージTO-92 ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORON Semiconductor Nチャンネル小信号 MOSFET， 60 V， 200 mA， 3 ピンパッケージTO-92

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 200 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5 Ω最低ゲートしきい値電圧 = 0.3V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = 小信号最大パワー消費 = 400 mW動作温度 Max = +150 ℃強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。

1袋(10個)

￥379 税込￥417

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オンセミ，ファストリカバリー整流ダイオード， 1A， 1000V， 2-Pin DO-41 ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORオンセミ，ファストリカバリー整流ダイオード， 1A， 1000V， 2-Pin DO-41

仕様ダイオード構成 = シングル整流タイプ = スイッチングピーク逆繰返し電圧 = 1000V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-41ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.7V長さ = 5.21mm幅 = 2.72mm高さ = 2.72mmピーク逆回復時間 = 75nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A整流ダイオード、1 A → 1.5 A、Fairchild Semiconductor

1袋(5個)

￥229 税込￥252

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オンセミ，ツェナーダイオード， 15V， 1 W， 2-Pin DO-41 ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORオンセミ，ツェナーダイオード， 15V， 1 W， 2-Pin DO-41

仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 1 Wパッケージタイプ = DO-41ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 17mA最大ツェナーインピーダンス = 14Ω最大逆漏れ電流 = 5μA長さ = 5.2mm直径 = 2.72mm寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor

1袋(100個)

￥879 税込￥967

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ON Semiconductor PNP トランジスタ， 40 V， 600 mA， 3-Pin TO-92 ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORON Semiconductor PNP トランジスタ， 40 V， 600 mA， 3-Pin TO-92

仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 600 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 20トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 40 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.19mm小信号PNPトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild Semiconductor

1袋(10個)

￥269 税込￥296

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オンセミ，ショットキーバリアダイオード，コモンカソード， 30A， 45V， 3-Pin TO-220AB ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORオンセミ，ショットキーバリアダイオード，コモンカソード， 30A， 45V， 3-Pin TO-220AB

仕様最大連続順方向電流 = 30A1チップ当たりのエレメント数 = 2ピーク逆繰返し電圧 = 45V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-220ABダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 3長さ = 10.28mm幅 = 4.82mm高さ = 9.28mm動作温度 Min = -65 ℃メーカー品番がNSV-、SBR-、又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ショットキーバリアダイオード、30 A → 240 A、ON Semiconductor

1袋(5個)

￥699 税込￥769

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ON Semiconductor NPN パワートランジスタ， 60 V， 15 A， 3-Pin TO-204 ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORON Semiconductor NPN パワートランジスタ， 60 V， 15 A， 3-Pin TO-204

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 15 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = TO-204実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 115 W最小DC電流ゲイン = 5トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 V最大動作周波数 = 2.5 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +200 ℃先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. NPNパワートランジスタ、ON Semiconductor

1個

￥779 税込￥857

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ON Semiconductor 正電圧 3端子レギュレータ， 700mA， 12 V 固定出力， 3-Pin TO-220 ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORON Semiconductor 正電圧 3端子レギュレータ， 700mA， 12 V 固定出力， 3-Pin TO-220

仕様出力電圧 = 12 V出力電流 Max = 700mAパッケージタイプ = TO-220出力タイプ = 固定実装タイプ = スルーホール入力電圧 Max = 35 Vピン数 = 3動作温度 Min = 0 ℃動作温度 Max = +125 ℃出力数 = 1極性 = 正ロードレギュレーション = 240 mVMC78M00 / MC78M00Aリニア電圧レギュレータ、ON Semiconductor. ON Semiconductor の MC78M00 / MC78M00A リニア電圧レギュレータは、内部電流制限、サーマルシャットダウン、及び出力トランジスタ安全動作領域保護機能を組み合わせた堅牢なデバイスです。ローカル、オンカード電圧調整などさまざまな用途で使用できます。 5 V、8 V、12 V、15 V、18 V、20 V、24 Vのモデルを用意しています。いずれも出力電流は最大500 mAで、最適なヒートシンクが搭載されています。. 鉛フリーパッケージを用意

1個

￥82 税込￥90

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ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET， 60 V， 70 A， 3 ピンパッケージTO-220AB ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET， 60 V， 70 A， 3 ピンパッケージTO-220AB

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 70 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 14 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 150 W標準入力キャパシタンス @ Vds = 2250 pF @ 25 V強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。

1個

￥239 税込￥263

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ON SEMICONDUCTORダイオード

1個

￥14～税込￥15～

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オンセミ，ファストリカバリー整流ダイオード，コモンカソード ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORオンセミ，ファストリカバリー整流ダイオード，コモンカソード

1袋(2個)ほか

￥569～税込￥626～

6日以内出荷

バリエーション一覧へ (12種類の商品があります)

ON SEMICONDUCTORオンセミ，ファストリカバリー整流ダイオード

1個ほか

￥179～税込￥197～

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ON Semiconductor フォトトランジスタ ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORON Semiconductor フォトトランジスタ

1袋(20個)ほか

￥1,190～税込￥1,309～

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ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET

1セット(1個)ほか

￥100～税込￥110～

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ON Semiconductor NPN パワートランジスタスルーホール ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORON Semiconductor NPN パワートランジスタスルーホール

1袋(5個)ほか

￥629～税込￥692～

翌日出荷から6日以内出荷

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オンセミ，スイッチングダイオード， 300mA， 100V， 2-Pin DO-35，エレメント数 1，シングル ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORオンセミ，スイッチングダイオード， 300mA， 100V， 2-Pin DO-35，エレメント数 1，シングル

仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最大逆電圧 = 100Vパッケージタイプ = DO-35ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大ダイオードキャパシタンス = 4pF動作温度 Max = +175 ℃高さ = 4.56mm寸法 = 1.91 (Dia.) x 4.56mm直径 = 1.91mm小信号スイッチングダイオード、Fairchild Semiconductor

1箱(2000個)

￥2,990 税込￥3,289

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オンセミ，ツェナーダイオード， 27V， 1 W， 2-Pin DO-41 ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORオンセミ，ツェナーダイオード， 27V， 1 W， 2-Pin DO-41

仕様標準ツェナー電圧 = 27V実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 1 Wパッケージタイプ = DO-41ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 9.5mA最大ツェナーインピーダンス = 35Ω最大逆漏れ電流 = 5μA長さ = 5.2mm直径 = 2.72mm寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor

1袋(100個)

￥969 税込￥1,066

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ON Semiconductor CMOSシリーズ電圧レベルトランスレータ， 20μA， 1.5～5.5 V， 8-Pin SOIC ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORON Semiconductor CMOSシリーズ電圧レベルトランスレータ， 20μA， 1.5～5.5 V， 8-Pin SOIC

仕様ロジックファミリー = CMOSロジック機能 = 電圧レベルトランスレータ伝送 = 電圧論理信号高レベル出力電流 Max = 20μA低レベル出力電流 Max = 20μA出力タイプ = オープンドレイン最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 1000 ns@ 15 pF実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 8寸法 = 5 x 4 x 1.5mm高さ = 1.5mm長さ = 5mm動作供給電圧 Min = 1.5 VNLSVシリーズ、ON Semiconductor. ON Semiconductor製のNLSVシリーズのデバイスは、デュアル電源非反転レベルトランスレータです。この設定可能な電圧レベルトランスレータは、VCCA / VCCB電源レールを管理できる入力ポートと出力ポートを備えています。 NLSVシリーズでは、入力ポートから出力ポートへの低電圧変換が可能です。

1袋(20個)

￥2,390 税込￥2,629

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ON Semiconductor 負電圧 3端子レギュレータ， 1A， -12 V 固定出力， 3-Pin TO-220 ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORON Semiconductor 負電圧 3端子レギュレータ， 1A， -12 V 固定出力， 3-Pin TO-220

仕様出力電圧 = -12 V出力電流 Max = 1Aパッケージタイプ = TO-220出力タイプ = 固定実装タイプ = スルーホール入力電圧 Max = -40 V dcピン数 = 3パワーレーティング = 15W動作温度 Min = -40 ℃動作温度 Max = +125 ℃出力数 = 1極性 = 負幅 = 4.82mm負電圧リニアレギュレータ、ON Semiconductor. 短絡 / 過熱保護機能を搭載した経済的な負電圧レギュレータです。さまざまな用途に適しています。

1袋(5個)

￥359 税込￥395

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オンセミ，ショットキーバリアダイオード， 3A， 100V， 2-Pin DO-41 ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORオンセミ，ショットキーバリアダイオード， 3A， 100V， 2-Pin DO-41

仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 100V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-41ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 790mV高さ = 9.5mm直径 = 5.3mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 150Aメーカー品番がNSV-、SBR-、又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ショットキーバリアダイオード、3 A → 9 A、ON Semiconductor

1袋(10個)

￥669 税込￥736

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オンセミ，ファストリカバリー整流ダイオード， 4A， 200V， 2-Pin DO-201AD ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORオンセミ，ファストリカバリー整流ダイオード， 4A， 200V， 2-Pin DO-201AD

仕様最大連続順方向電流 = 4A1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 200V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-201ADダイオードタイプ = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 890mV高さ = 9.5mmピーク逆回復時間 = 75ns直径 = 5.3mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 125Aメーカー品番がNSV-又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 整流ダイオード、4 A → 9 A、ON Semiconductor

1袋(10個)

￥469 税込￥516

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オンセミ，ショットキーバリアダイオード， 2A， 30V， 2-Pin SOD-123 ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORオンセミ，ショットキーバリアダイオード， 2A， 30V， 2-Pin SOD-123

仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 30V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-123ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 380mV長さ = 2.9mm幅 = 1.8mm高さ = 0.9mm動作温度 Max = +125 ℃メーカー品番がNSV-、SBR-、又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ショットキーバリアダイオード、1 A → 2 A、ON Semiconductor

1袋(10個)

￥389 税込￥428

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ON Semiconductor 整流用ブリッジダイオード単相 1.5A， 200V， 4-Pin SDIP ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORON Semiconductor 整流用ブリッジダイオード単相 1.5A， 200V， 4-Pin SDIP

仕様ブリッジタイプ = 単相ピーク平均順方向電流 = 1.5Aピーク逆繰返し電圧 = 200V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SDIPピン数 = 4構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1.1Vピーク逆電流 = 500μA長さ = 8.51mm幅 = 6.5mmULファイルE111753及びE326243. 基板表面実装用ブリッジ整流器、DFxxSシリーズ、Fairchild Semiconductor. ガラス不動態化チップジャンクション低DC逆電流

1袋(10個)

￥499 税込￥549

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ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET， 60 V， 265 A， 3 ピンパッケージTO-220 PowerTrench シリーズ ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET， 60 V， 265 A， 3 ピンパッケージTO-220 PowerTrench シリーズ

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 265 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2.5 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 395 W標準ターンオフ遅延時間 = 348 nsPowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、60 A超、Fairchild Semiconductor

1個

￥619 税込￥681

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オンセミ，ファストリカバリー整流ダイオード， 1A， 100V， 2-Pin DO-41 ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORオンセミ，ファストリカバリー整流ダイオード， 1A， 100V， 2-Pin DO-41

仕様ダイオード構成 = シングル整流タイプ = ファストリカバリーピーク逆繰返し電圧 = 100V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-41ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1V長さ = 5.2mmピーク逆回復時間 = 50ns直径 = 2.72mm動作温度 Min = -65 ℃整流ダイオード、1 A → 1.5 A、Fairchild Semiconductor

1袋(50個)

￥1,890 税込￥2,079

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オンセミ，ソフトリカバリー整流ダイオード， 30A， 600V， 2-Pin TO-220 ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORオンセミ，ソフトリカバリー整流ダイオード， 30A， 600V， 2-Pin TO-220

仕様最大連続順方向電流 = 30A1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 600V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-220ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 2.6V長さ = 10.67mm幅 = 4.83mm高さ = 16.51mmピーク逆回復時間 = 40ns動作温度 Min = -40 ℃整流ダイオード、10 A → 80 A、Fairchild Semiconductor

1袋(2個)

￥379 税込￥417

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ON Semiconductor PNP トランジスタ， 25 V， 1.5 A， 3-Pin TO-92 ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORON Semiconductor PNP トランジスタ， 25 V， 1.5 A， 3-Pin TO-92

仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 1.5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 25 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 1 W最小DC電流ゲイン = 40トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -40 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -6 V最大動作周波数 = 200 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = -0.5 V小信号PNPトランジスタ、最大30 V、Fairchild Semiconductor