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ON SEMICONDUCTORON Semiconductor Nチャンネル パワーMOSFET， 30 V， 11.6 A， 8 ピン パッケージSOIC PowerTrench シリーズ
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 11.6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 2500 mW寸法 = 5 x 4 x 1.5mmPowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
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￥679
税込￥747
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仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 10 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 13 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 2500 mW標準ターンオフ遅延時間 = 196 nsPowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。 この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrench(R) MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥1,088
税込￥1,197
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ON SEMICONDUCTORON Semiconductor Pチャンネル パワーMOSFET， 40 V， 8.2 A， 8 ピン パッケージSOIC PowerTrench シリーズ
エコ商品
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仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 8.2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 27 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 2500 mW標準ターンオフ遅延時間 = 50 nsPowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。 この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrench(R) MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥1,198
税込￥1,318
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ON SEMICONDUCTORON Semiconductor Pチャンネル パワーMOSFET， 30 V， 5.3 A， 8 ピン パッケージSOIC PowerTrench シリーズ
エコ商品
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仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 5.3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 50 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V， +25 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 2500 mW寸法 = 5 x 4 x 1.5mmPowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。 この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrench(R) MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥920
税込￥1,012
5日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 44 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 1.6 Wシリーズ = PowerTrenchPowerTrench(R)デュアルNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上させるように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが実現します。 高度なテクノロジーを使用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrench(R) MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になります。又は電圧定格の高いMOSFETを置き換えることができます。
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
￥2,298
税込￥2,528
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仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 23 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = 絶縁型チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 2000 mW標準ターンオフ遅延時間 = 48 nsPowerTrench(R)デュアルPチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが実現します。 高度なテクノロジーを使用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrench(R) MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になるか、電圧定格の高いMOSFETを置き換えることができます。
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥999
税込￥1,099
5日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N， P最大連続ドレイン電流 = 5 A、6.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 50 mΩ、90 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 0.6V最大ゲート-ソース間電圧 = -12 V、-10 V、+10 V、+12 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 1.6 W、2 W標準ターンオン遅延時間 = 8 ns、16 nsPowerTrench(R)デュアルN/PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが実現します。 高度なテクノロジーを使用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrench(R) MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になるか、電圧定格の高いMOSFETを置き換えることができます。
RoHS指令(10物質対応)対応
1枚(10個)
￥1,198
税込￥1,318
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仕様チャンネルタイプ = N， P最大連続ドレイン電流 = 4.5 A、6.4 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 39 mΩ， 80 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V、-20 V、+20 V、+25 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 1.6 W、2 Wシリーズ = PowerTrenchPowerTrench(R)デュアルN/PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが実現します。 高度なテクノロジーを使用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrench(R) MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になるか、電圧定格の高いMOSFETを置き換えることができます。
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥819
税込￥901
5日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 6.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 30 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 0.6V最大ゲート-ソース間電圧 = -10 V， +10 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = 絶縁型チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 2000 mW標準ターンオフ遅延時間 = 15 nsPowerTrench(R)デュアルNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上させるように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが実現します。 高度なテクノロジーを使用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrench(R) MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になります。又は電圧定格の高いMOSFETを置き換えることができます。
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥589
税込￥648
5日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 20 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V， +25 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 2500 mW長さ = 5mmPowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。 この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrench(R) MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥1,998
税込￥2,198
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仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 8.8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 20 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V， +25 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 2500 mW幅 = 4mm自動車用PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥739
税込￥813
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N， P最大連続ドレイン電流 = 7.3 A、8.6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 17 mΩ， 21 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V、-20 V、+20 V、+25 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 1600 mW寸法 = 5 x 4 x 1.5mmPowerTrench(R)デュアルN/PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが実現します。 高度なテクノロジーを使用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrench(R) MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になるか、電圧定格の高いMOSFETを置き換えることができます。
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥949
税込￥1,044
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仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 11 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 13 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V， +25 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 2500 mW1チップ当たりのエレメント数 = 1PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。 この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrench(R) MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥819
税込￥901
5日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 6.9 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 22 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V， +25 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = 絶縁型チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 1600 mW標準ターンオフ遅延時間 = 68 nsPowerTrench(R)デュアルPチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが実現します。 高度なテクノロジーを使用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrench(R) MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になるか、電圧定格の高いMOSFETを置き換えることができます。
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥1,198
税込￥1,318
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