ON Semiconductor Nチャンネル IGBT, 600 V, 80 A, 3-Pin TO-247 シングルON SEMICONDUCTOR7日以内出荷
仕様最大連続コレクタ電流 = 80 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 600 V最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±20V最大パワー消費 = 349 Wパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールチャンネルタイプ = Nピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル長さ = 15.6mm幅 = 4.7mm高さ = 20.6mm寸法 = 15.6 x 4.7 x 20.6mm動作温度 Min = -55 ℃ディスクリートIGBT、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
フォトカプラ ON Semiconductor H11F1M, トランジスタ出力, 6-PinON SEMICONDUCTOR6日以内出荷
仕様実装タイプ = スルーホール実装出力デバイス = トランジスタ最大順方向電圧 = 1.75Vチャンネル数 = 1ピン数 = 6パッケージタイプ = PDIP入力電流タイプ = DC最大入力電流 = 60 mA絶縁電圧 = 7.5 kVrms論理出力 = Yオプトカプラ、IGBT/MOSFETゲート駆動、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor Nチャンネル IGBT, 650 V, 120 A, 3-Pin TO-3PN シングルON SEMICONDUCTOR7日以内出荷
仕様最大連続コレクタ電流 = 120 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 650 V最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±20V最大パワー消費 = 600 Wパッケージタイプ = TO-3PN実装タイプ = スルーホールチャンネルタイプ = Nピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル長さ = 15.8mm幅 = 5mm高さ = 20.1mm寸法 = 15.8 x 5 x 20.1mm動作温度 Max = +175 ℃ディスクリートIGBT、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応