「r型ピン」の検索結果

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FDV305N ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET， 20 V， 900 mA， 3 ピンパッケージSOT-23 ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET， 20 V， 900 mA， 3 ピンパッケージSOT-23

エコ商品

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 900 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 220 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 0.6V最大ゲート-ソース間電圧 = -12 V， +12 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 350 mWトランジスタ素材 = SiPowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、最大9.9 A、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応

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￥479 税込￥527

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BSS123 ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET， 100 V， 170 mA， 3 ピンパッケージSOT-23 ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET， 100 V， 170 mA， 3 ピンパッケージSOT-23

エコ商品

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 170 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 6Ω最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 360 mW長さ = 2.92mmPowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、最大9.9 A、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応

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￥239 税込￥263

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FDH055N15A ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET， 150 V， 167 A， 3 ピンパッケージTO-247 ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET， 150 V， 167 A， 3 ピンパッケージTO-247

エコ商品

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 167 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 150 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5.9 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 429 W1チップ当たりのエレメント数 = 1PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、60 A超、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応

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￥1,198 税込￥1,318

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FDP2532 ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET， 150 V， 8 A， 3 ピンパッケージTO-220AB ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET， 150 V， 8 A， 3 ピンパッケージTO-220AB

エコ商品

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 150 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 16 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 310000 mW標準ターンオフ遅延時間 = 39 nsPowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、最大9.9 A、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応

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￥749 税込￥824

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FDN335N ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET， 20 V， 1.7 A， 3 ピンパッケージSOT-23 PowerTrench シリーズ ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET， 20 V， 1.7 A， 3 ピンパッケージSOT-23 PowerTrench シリーズ

エコ商品

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 1.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 70 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 500 mW標準ターンオン遅延時間 = 5 nsPowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、最大9.9 A、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応

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￥689 税込￥758

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FDPF390N15A ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET， 150 V， 15 A， 3 ピンパッケージTO-220F ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET， 150 V， 15 A， 3 ピンパッケージTO-220F

エコ商品

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 15 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 150 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 40 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220F実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 22 W標準ターンオン遅延時間 = 14 nsPowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応

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￥3,898 税込￥4,288

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FDS8958B ON Semiconductor MOSFET， 30 V， 4.5 A、6.4 A， 8 ピンパッケージSOIC PowerTrench シリーズ ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORON Semiconductor MOSFET， 30 V， 4.5 A、6.4 A， 8 ピンパッケージSOIC PowerTrench シリーズ

エコ商品

仕様チャンネルタイプ = N， P最大連続ドレイン電流 = 4.5 A、6.4 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 39 mΩ， 80 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V、-20 V、+20 V、+25 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 1.6 W、2 Wシリーズ = PowerTrenchPowerTrench(R)デュアルN/PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが実現します。高度なテクノロジーを使用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrench(R) MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になるか、電圧定格の高いMOSFETを置き換えることができます。 RoHS指令(10物質対応)対応

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￥819 税込￥901

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FDS6912A ON Semiconductor デュアル NチャンネルパワーMOSFET， 30 V， 6 A， 8 ピンパッケージSOIC ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORON Semiconductor デュアル NチャンネルパワーMOSFET， 30 V， 6 A， 8 ピンパッケージSOIC

エコ商品

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 44 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 1.6 Wシリーズ = PowerTrenchPowerTrench(R)デュアルNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上させるように最適化された電源スイッチです。これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが実現します。高度なテクノロジーを使用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrench(R) MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になります。又は電圧定格の高いMOSFETを置き換えることができます。 RoHS指令(10物質対応)対応

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￥2,298 税込￥2,528

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FDS6675BZ ON Semiconductor PチャンネルパワーMOSFET， 30 V， 11 A， 8 ピンパッケージSOIC PowerTrench シリーズ ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORON Semiconductor PチャンネルパワーMOSFET， 30 V， 11 A， 8 ピンパッケージSOIC PowerTrench シリーズ

エコ商品

仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 11 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 13 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V， +25 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 2500 mW1チップ当たりのエレメント数 = 1PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrench(R) MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。 RoHS指令(10物質対応)対応

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￥819 税込￥901

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FDS4685 ON Semiconductor PチャンネルパワーMOSFET， 40 V， 8.2 A， 8 ピンパッケージSOIC PowerTrench シリーズ ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORON Semiconductor PチャンネルパワーMOSFET， 40 V， 8.2 A， 8 ピンパッケージSOIC PowerTrench シリーズ

エコ商品

仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 8.2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 27 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 2500 mW標準ターンオフ遅延時間 = 50 nsPowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrench(R) MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。 RoHS指令(10物質対応)対応

1袋(5個)

￥1,198 税込￥1,318

5日以内出荷

FDN338P ON Semiconductor PチャンネルパワーMOSFET， 20 V， 1.6 A， 3 ピンパッケージSOT-23 PowerTrench シリーズ ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORON Semiconductor PチャンネルパワーMOSFET， 20 V， 1.6 A， 3 ピンパッケージSOT-23 PowerTrench シリーズ

エコ商品

仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 1.6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 115 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 500 mW標準ターンオン遅延時間 = 10 nsPowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrench(R) MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。 RoHS指令(10物質対応)対応

1袋(10個)

￥689 税込￥758

5日以内出荷

FDS9934C ON Semiconductor MOSFET， 20 V， 5 A、6.5 A， 8 ピンパッケージSOIC PowerTrench シリーズ ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORON Semiconductor MOSFET， 20 V， 5 A、6.5 A， 8 ピンパッケージSOIC PowerTrench シリーズ

エコ商品

仕様チャンネルタイプ = N， P最大連続ドレイン電流 = 5 A、6.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 50 mΩ、90 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 0.6V最大ゲート-ソース間電圧 = -12 V、-10 V、+10 V、+12 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 1.6 W、2 W標準ターンオン遅延時間 = 8 ns、16 nsPowerTrench(R)デュアルN/PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが実現します。高度なテクノロジーを使用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrench(R) MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になるか、電圧定格の高いMOSFETを置き換えることができます。 RoHS指令(10物質対応)対応

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￥1,198 税込￥1,318

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